游戏本|这应该是同价位段性能最强的游戏本——Redmi G 2021 体验评测( 二 )
拆机方式与上一代相同，撬开顶部中间脚垫区域，拧下10颗螺丝拿下盖板就能看到完整的内部结构。
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从图中可以看到，Redmi G 2021的内部与上一代区别很大，整体感觉要相对更扎实一些，主板采用了大+小的结构布局，USB 2.0和耳麦结构通过排线与主板相连。下方的电池从55Wh升级到了80Wh，续航表现也会比上一代更长。
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因为这次采用了更高功耗的硬件，所以在散热系统上相对上一代要大和厚实很多。延续了上一代的四处风口设计，热管由上一代一长两短散升级为两根主热管贯穿CPU+GPU让热量平均传导到左右风扇，CPU单独一跟辅助，GPU两跟辅助散热形成5热管布局。
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从侧面也能看到热管和散热盖板都很厚实，同时盖板将供CPU和GPU 供电和显存新片都进行了覆盖，后方的散热鳍片也很密集，相信Redmi G会有着不错的散热表现。
在扩展性方面，Redmi G也采用了目前游戏主流的双M.2 2280+双内存槽方案，左下SSD 接口上方配有金属散热片，而右中主硬盘因为结构的原因仅有屏蔽层覆盖。
我手中这台硬是来自海力士BC711（HFM512GD3JX013N），为PCIe 3.0规格，我们对它也进行了读写测试：
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从图中可以看到，该硬盘的实际读取速度大概在3.3GB/s左右，实际写入能达到2.8GB/s左右，相对于PCIe 3.0的硬盘来说，整体表现还算可以。
散热及噪音：我手中这台Redmi G是锐龙7 5800H+RTX 3060 高配版本，按照惯例我们先对它进行CINEBENCH R15 连续跑分测试，目的就是为了直观地展现出它的 CPU 单独负载性能变化：
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可以看到，30次连续跑分数据几乎就是一条线，最高为2055cb，最低1999cb，差值也就在50左右，可以说Redmi G 的打在的这颗 R7 5800H长时负载性能释放非常稳定，不会出现过热降频的问题。
用连续 CINEBENCH R15 测试的最终意义是记录散热导致的性能变化，所以我们也记录了 CPU 单独负载时的功耗和温度波动：
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从图中可以看到，Redmi G CPU 长时负载功耗稳定在70W左右，CPU的温度已经能到100极限状态，频率在3.54GHz，综合来看相比上一代功耗要稳定，同时性能释放也要更强。
MDT 的测试包括额外的机身出风口的温度，可以从上图中的 Air Vent temperature（也就是橙色线）来看到，这也是用来辅助判断一个机器的散热系统散热效率的因素。
K 值则是考虑功率之后的综合导热指数，MDT 认为在极限负载的情况下，如果出风口温度越接近机内 CPU 核心温度，那么就说明笔记本的散热系统能有越有效的把 CPU 或者 GPU 等等发热源的热量导出机身，K 值也就会更高。
Redmi G 2021在急速散热模式下K 值约为 1.42左右，整体散热效率表现还是很好的，处于游戏本的平均(1.5)表现，能够将热量快速导出到机身之外。
继续对Redmi G 进行拷机测试，来看极限情况下得键盘表面温度以及噪音表现：
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在室温24C的情况下，单烤 RTX 3060 功耗能够平稳的维持在130W，与官方宣传没有出入，显卡确实有很强的性能释放，同时在极限状态显卡的温度并不是很高。
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