芯片光刻技术对周边技术的要求
【芯片光刻技术对周边技术的要求】光刻技术作为整个高集成化技术的核心，一直处于发展和变化的前沿。随着步进重复曝光机光源不断向短波长进展，与之相关的技术领域，包括光源、光刻胶、曝光技术、刻蚀方法、精度保证及检测等也不断取得进展。
仅以光学光刻技术为例，先后经历了从利用可见光的“g线（435nm）一次式”、紫外线的“i线（365nm）一次式”，到准分子激光光源的“KrF（248nm）准分子激光一次式”曝光等。而后在世纪之交，先进批量生产的IC生产线，采用了特征线宽（设计基准）为90～130nm的技术。与之相配的曝光机，使用氟化氩（ArF）气的准分子激光为光源，其波长为193nm。
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为适应进一步的微细化，进一步开发出采用氟二聚体（F2）气体的准分子激光（153nm），以及利用等离子体产生的超紫外（Extreme Ultra Violet，EUV）光（13nm，10.8nm）等。
过去的曝光装置（干式曝光装置），投影透镜与晶圆之间为空气。与之相对，液浸曝光装置的投影透镜与晶圆之间充满液体，以此进一步提高分辨率。这是由于，从透镜射出的光在到达晶圆的过程中，经过的是折射率比空气大的液体（如水），提高了透镜的数值孔径，从而提高了分辨率。
在现有ArF步进曝光机（可对应90nm）的基础上，采用上述液浸曝光系统，可以实现65nm的特征线宽，并可延长ArF系步进机在IC产业中的技术寿命。如果进一步选用最佳折射率的液浸曝光用液体替代水，甚至可满足特征线宽为45nm、32nm的批量生产要求。作为下一代曝光技术，正在开发的有采用等倍X射线及缩微X射线的曝光技术，以及采用电子束的曝光技术。
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