固态硬盘缓外速率|关注隐藏参数才能不被“糊弄”？简谈近期固态硬盘缓外速率风波
近期DIY界除了老生常谈的显卡和缺货话题外，又新增了几个大“瓜”，既有英特尔12代酷睿处理器产品的设计和跑分披露，也有DDR5规格内存应用的消息，还有就是固态硬盘与存储颗粒的话题。最后这个话题在当下与我们普通消费者的关系更密切一些，且与主流大厂的SSD产品有关，所以有着更广泛和热烈的讨论。
事情开始于8月中旬，有网友在购入SN550 1T固态硬盘后进行测试时发现其缓外读写速率相比过往降低为约一半，随后在贴吧论坛等平台的讨论中发现这一现象已经广泛出现在新一批产品中。先前这一型固态硬盘本身具有相当出众的口碑，在中端SSD产品中具有稳定的性能与亲民的定价，是一款高性价比产品，也是这一价位推荐SSD中的众望所归。
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但缓外速率是什么？受哪些因素影响？缓外性能下降反映了什么？带着疑问我们一起来看。
要解答这些问题，首先要解释缓存是什么。目前SSD中有缓存两种主要形式：外置DRAM缓存与模拟SLC缓存。前者是前段时间经常提及的一个名词，由于不少厂商都推出了无DRAM设计的SSD产品，一定程度上降低成本和售价，但它们的功能即存储闪存映射表（FTL），得益于新技术的应用可以一定程度上向内存借用，对性能影响较小，因此是一种不属于“过分减配”的新型方案。
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而后者则涉及到SLC这个存储颗粒类型名词，需要专门解释一下。NAND闪存颗粒的发展从SLC到MLC到TLC再到QLC等等，实质上是每次将Cell存储的数据增加了一位，例如SLC单个Cell存储0或者1，到MLC则能存储00、01、10或11，并依此类推。这一发展路径为闪存颗粒带来了更高的容量，但相应降低了读写速度与使用寿命，使用寿命上的问题依据SSD的原理可通过高容量来进行补偿，但读写速度可以说是实打实的下降了。因此，存储厂商开发出模拟SLC缓存技术，主要在读写速度受影响较为严重的TLC和QLC颗粒产品中应用，通过将容量的一部分模拟SLC读写方式使用，来创造能够实现快速读写的区域。
在能够使用这一存储区域的情况下(例如空盘和半盘状态之间)进行测速，得出的读写速度就是所谓的缓内速率，也是一般标识在产品包装和电商页上的数据。但在连续读写超出这一区域容量的情况下再进行测速，得出的结果就是缓外速率，也就是TLC、QLC两类颗粒的直接读写速率。
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顺序读写几乎能够跑满PCIe4.0规格的980?PRO?作为TLC固态在使用模拟SLC缓存时才能达到这一速率
根据NAND闪存颗粒的原理，缓外速率低于缓内速率是理所当然的，但同产品的缓外速率下降却不是会自然发生的现象。这可能与许多因素有关，包括颗粒、主控、供电、平台等等，也就是说发生这一现象的原因基本是硬件的变更。目前来看缓外速率并不是个曝光率高的参数，厂商也极少主动标注和宣传，可以说就是一种类型的隐藏参数。
更具体的可能性推测包括：闪存堆叠层数增加，密度增加，芯片数量减少无法组成多通道导致速率下降;更换另一种TLC颗粒;将TLC颗粒换成QLC颗粒等等。
一波未平一波又起，这一型号固态硬盘的事件发生后没过多久，又一家存储大厂发生了类似的一幕，这回的SSD产品是970EVO Plus。这款采用TLC颗粒的SSD本身是于2019年上市的前代高端系列，同时又与MLC颗粒旗舰970PRO形成对其他品牌高端产品的两面包夹之势。
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