代号温度特性容量误差耐压包装
CC3216CH151K101WT
（2）美国Predsidio公司系列
代号温度特性容量误差包装
CCl206NPO151JZT
与片状电阻相同，以上代号中的字母表示矩形片状陶瓷电容器，4位数字表示其长、宽度，厚度略厚一点，一般为1～2mm 。
与片状电阻相似，容量的前两位表示有效数，第3位表示有效数后零的个数 ， 单位为pF 。如151表示150pF、1p5表示1.5pF 。
误差部分字母含义：C为±0.25pF，D为±0.5pF，F为±1pF，J为±5pF，K为±10pF，M为±20pF，I为-20%～81% 。
二、陶瓷电容器种类
半导体陶瓷电容器
（1）表面层陶瓷电容器电容器的微小型化，即电容器在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，这是电容器发展的趋向之一 。对于分离电容器组件来说，微小型化的基本途径有两个：①使介质材料的介电常数尽可能提高；②使介质层的厚度尽可能减薄 。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高 ， 但是用铁电陶瓷制造普通铁电陶瓷电容器时 ， 陶瓷介质很难做得很薄 。首先是由于铁电陶瓷的强度低，较薄时容易碎裂，难于进行实际生产操作，其次 ， 陶瓷介质很薄时易于造成各种各样的组织缺陷，生产工艺难度很大 。
表面层陶瓷电容器是用BaTiO3等半导体陶瓷的表面上形成的很薄的绝缘层作为介质层，而半导体陶瓷本身可视为电介质的串联回路 。表面层陶瓷电容器的绝缘性表面层厚度 ， 视形成方式和条件不同，波动于0.01～100μm之间 。这样既利用了铁电陶瓷的很高的介电常数，又有效地减薄了介质层厚度，是制备微小型陶瓷电容器一个行之有效的方案 。
右图（a）为表面层陶瓷电容器的一般结构，（b）为其等效电路 。在半导体陶瓷表面形成表面介质层的方法很多，这里仅作简单介绍 。在BaTiO3导体陶瓷的两个平行平面上烧渗银电极，银电极和半导体陶瓷的接触介面就会形成极薄的阻挡层 。由于Ag是一种电子逸出功较大的金属，所以在电场作用下，BaTiO3导体陶瓷与Ag电极的接触介面上就会出现缺乏电子的阻挡层，而阻挡层本身存在着空间电荷极化，即介面极化 。这样半导体陶瓷与Ag电极之间的这种阻挡层就构成了实际上的介质层 。
文章插图
这种电容器瓷件，先在大气气氛中烧成，然后在还原气氛中强制还原半导化，再在氧化气氛中把表面层重新氧化成绝缘性的介质层 。再氧化层的厚度应控制适当 。若氧化膜太薄，电极和陶瓷间仍可呈现pn结的整流特性 ， 绝缘电阻和耐电强度都得不到改善 。随着厚度的逐渐增加，pn结的整流特性消失，绝缘电阻提高，对直流偏压的依存性降低 。但是，再氧化的时间不宜过长 ， 否则可能导致陶瓷内部重新再氧化而使电容器的容量降低 。还原处理的温度为800～1200℃，再氧化处理的温度为500～900℃ 。经还原处理后的陶瓷材料，绝缘电阻率可降至10～103Ω·cm ， 表面层的电阻率低于内部瓷体的电阻率；薄瓷片的电阻率，一般比处理条件相同的较厚瓷体的电阻率低一些 。由于再氧化处理形成的表面绝缘性介质层的厚度比较?。跃」芷浣榈绯Ｊ灰欢ê芨撸蔷乖傺趸砗? ，该表面层半导体陶瓷电容器的单位面积容量仍可达0.05～0.06μF/cm2 。
（2）晶界层陶瓷电容器晶粒发育比较充分的BaTiO3半导体陶瓷的表面上，涂覆适当的金属氧化物（例如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），在适当温度下 ， 于氧化条件下进行热处理 ， 涂覆的氧化物将与BaTiO3形成低共溶液相，沿开口气孔和晶界迅速扩散渗透到陶瓷内部，在晶界上形成一层薄薄的固溶体绝缘层 。这种薄薄的固溶体绝缘层的电阻率很高（可达1012～1013Ω·cm），尽管陶瓷的晶粒内部仍为半导体，但是整个陶瓷体表现为显介电常数高达2×104到8×104的绝缘体介质 。用这种瓷制备的电容器称为晶界层陶瓷电容器（boundarglayerceramiccapacitor），简称BL电容器 。
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