电子元件工业联合会(JEDEC)在不久前正式发布HBM3高带宽内存标准——JESD238，与HBM2和HBM2e标准相比，HBM3的性能再次迎来巨大的提升。根据JEDEC官方新闻稿，JESD238标准为新一代HBM3动态随机存储器指明发展。HBM3运用创新方案，旨在带来更高带宽、更低功耗以及更密集的单位容量，推动图形处理、高性能计算和服务器等领域的使用体验。
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HBM3在HBM2架构的基础上进一步扩展带宽，将每个引脚的速率提升一倍至6.4GB/s，实现819GB/s的高带宽。独立通道数也从HBM2时代的8个提升至16个，且每个通道都有两组“伪通道”(Pseudo Channels)，让HBM3最多可虚拟支持32通道。
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在堆叠层数方面，新标准不仅支持4-Hi、8-Hi、12-Hi的硅通孔(TSV)堆栈，同时还为16-Hi方案实现做好准备。每层8~32Gb的容量密度，可轻松支持4GB(8Gb 4-Hi)到64GB(32Gb 16-Hi)容量密度，预计初代产品将基于16Gb存储层。
为满足对高平台层级的可靠性、可用性与可维护性(简称RAS)需求，HBM3还支持基于符号的片上ECC、以及实时错误报告和透明度。通过在主机接口端使用低摆幅(0.4V)信号和较低的工作电压(1.1V)，进一步提升能效表现。
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英伟达技术营销总监兼HBM小组委员会Barry Wagner表示：凭借增强的性能与可靠属性，HBM3 将为需要巨大带宽和容量的新应用提供有力的支撑。
美光高性能内存与网络事业部副总裁兼总经理Mark Montierth则称：HBM3将使行业攀上更高的性能巅峰，提升可靠性并降低能耗。美光将凭借先进内存堆叠和封装方面的资深经验，来引领后续的计算平台市场。
SK海力士DRAM产品企划副总裁Uksong Kang补充道：随着HPC与AI应用的不断进步，对更高性能和能效的需求增长，也较以往进一步加速。随着JEDEC HBM3标准的正式颁布，SK海力士期待着通过增强型ECC方案，为客户提供兼具高性能、最佳能效和更高稳定性的DRAM产品。
【 hbm3|JEDEC发布HBM3标准：带宽翻倍覆盖更多领域】Synopsys IP与战略营销副总裁John Koeter亦表示：Synopsys帮助推动HBM3、DDR5、LPDDR5等先进内存接口在一系列新兴应用中的开发和采用。Synopsys的HBM3 IP和验证解决方案，已被公司客户率先采用。通过加速新接口与高性能SoC的集成，还有助于具有高内存带宽和能效的多芯片系统级封装的设计与研发。
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