芯片|网传小米澎湃 P1 芯片并非自研，南芯半导体回应：消息不实
IT之家 2 月 8 日消息，南芯半导体今日发文称，近日出现了一些关于小米澎湃 P1 的不实传言。官方现做出回应。
【 芯片|网传小米澎湃 P1 芯片并非自研，南芯半导体回应：消息不实】据介绍，小米澎湃 P1 芯片为小米自研设计、南芯半导体代工（内部代号 SC8561）。这款芯片具备超高压 4:1 充电架构，实现了 120W 单电芯充电，，支持 1:1、2:1 和 4:1 的转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线 120W、无线 50W、无线反充等多种充电功能。
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今日早些时候，有微博用户表示小米自研的澎湃 P1 芯片为外部购买的传闻，针对小米的“自研”工作进行造谣。
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小米在去年 12 月发布了自研的第三款芯片澎湃 P1。雷军称，小米 12 Pro 搭载澎湃 P1 充电芯片，行业首次实现“120W 单电芯”充电技术。
小米现已发布澎湃 P1 的详细介绍，官方称澎湃 P1 填补了 120W 单电芯快充行业空白。
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小米表示，过去的单电芯快充体系中，要把输入手机的 20V 电压转换成可以充入电池的 5V 电压，需要 5 个不同种电荷泵的串并联电路。大量的电荷泵和整体串联的架构会带来很大的发热量，实际使用中完全无法做到长时间满功率运行，更难以做到 120W 高功率快充。
驱动小米 120W 澎湃秒充的核心是两颗小米自研智能充电芯片：澎湃 P1。它们接管了传统的 5 电荷泵复杂结构，将输入手机的高压电能，更高效地转换为可以直充电池的大电流。
小米表示，澎湃 P1 作为业界首个谐振充电芯片，拥有自适应开关频率的 4:1 超高效率架构，谐振拓扑效率高达 97.5%，非谐振拓扑效率为 96.8%，热损耗直线下降 30% 。
澎湃 P1 本身承担了大量的转换工作：传统电荷泵只需要两种工作模式（变压、直通），而澎湃 P1 需要支持 1:1、2:1 和 4:1 转换模式，并且所有的模式都需要支持双向导通，这意味着总共需要 15 种排列组合的模式切换控制 —— 是传统电荷泵的 7 倍。正向 1:1 模式让亮屏充电效率更高，正向 2:1 模式可兼容更多充电器，正向 4:1 可支持 120W 澎湃秒充，反向 1:2/1:4 模式可支持高功率反向充电。
小米称，澎湃 P1 也是小米充电效率最高的 4:1 充电芯片，可做到 0.83W / mm2 超高功率密度，LDMOS 也达到业界领先超低 1.18mΩmm2 RSP。而澎湃 P1 芯片内部需要用到三种不同耐压的 FLY 电容，每颗电容需要独立的开短路保护电路，而每种工作模式又需要严格控制预充电压，功率管数量接近传统电荷泵的两倍。并且因为拓扑设计和功能复杂度的提升，每片澎湃 P1 在出厂时都需要通过 2500 多项测试，远高于传统电荷泵。
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IT之家了解到，即将在 12 月 28 日发布的小米 12 Pro 是第一款搭载澎湃 P1 的智能手机，它支持有线 120W 澎湃秒充、50W 无线秒充和 10W 无线反向充电。小米表示，小米 12 Pro 的 120W 澎湃秒充技术拥有两挡模式：低温模式，“温度仅 37℃，体温般舒适”；疾速模式，“一杯咖啡的时间疾速满电”。
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