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晶闸管型号含义_晶闸管型号参数表( 三 )

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第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 。
二、日本半导体分立器件型号命名 ***
日本生产的半导体分立器件 ， 由五至七部分组成 。
通常只用到前五个部分 ， 其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型 。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、
1-二极管、
2三极或具有两个pn结的其他器件、
3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、
┄┄依此类推 。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志 。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件 。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型 。
A-PNP型高频管、
B-PNP型低频管、
C-NPN型高频管、
D-NPN型低频管、
F-P控制极可控硅、
G-N控制极可控硅、
H-N基极单结晶体管、
J-P沟道场效应管 ， 如 2SJ—-
K-N沟道场效应管 ， 如 2SK—-
M-双向可控硅 。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号 。
两位以上的整数-从“11”开始 ， 表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；
不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大 ， 越是近期产品 。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志 。
A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品 。
三、美国半导体分立器件型号命名 ***
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱 。
美国电子工业协会半导体分立器件命名 *** 如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型 。
JAN-军级、
JANTX-特军级、
JANTXV-超特军级、
JANS-宇航级、
无—非军用品 。
第二部分：用数字表示pn结数目 。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件 。
第三部分：美国电子工业协会(EIA)注册标志 。
N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记 。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号 。
多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号 。
第五部分：用字母表示器件分档 。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别 。如：
JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管
JAN-军级、
2-三极管、
【晶闸管型号含义_晶闸管型号参数表】N-EIA注册标志、
3251-EIA登记顺序号、
A-2N3251A档 。
四、国际电子联合会半导体器件型号命名 ***
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家 ， 大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名 ***。
这种命名 *** 由四个基本部分组成 ， 各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料 。
A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、
B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、
C-器件使用材料的Eg >1.3eV如砷化镓、
D-器件使用材料的Eg <0.6eV如锑化铟、
E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 。
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征 。
A-检波开关混频二极管、
B-变容二极管、
C-低频小功率三极管、
D-低频大功率三极管、
E-隧道二极管、
F-高频小功率三极管、
G-复合器件及其他器件、
H-磁敏二极管、
K-开放磁路中的霍尔元件、
L-高频大功率三极管、

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