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分析晶体管的共射特性曲线,温度升高时,晶体管的共射输出特性曲线将

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一、类型晶体管分类方法很多 。(1)按半导体材料和极性分类，所用半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管，(3)按电流容量分类晶体管按电流容量可分为低功率晶体管、中功率晶体管、高功率晶体管，(2)按结构和制造工艺分类晶体管按其结构和制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管、扁平型晶体管 。

1、如何判断电路中的一个NPN硅 晶体管处于饱和,放大,截止状态用电压表测量基极和发射极之间的电压UBE 。如果该电压低于0.6V，则关闭 。如果此电压等于或略大于0.7V，再次测量CE之间的电压:如果CE电压大于1V，则处于放大状态；如果CE电压低于1V，则它饱和 。1.只要b.e .两端电压等于0.7V ， 就正常工作；否则会小于0.7V，也就是关断状态会大于0.7V，这个电路明显是错的 。2.晶体管在放大状态下正常工作，所以如果你提高它的输入电压，输出电压就会变大 。当它增加到一定值时 ， 输出电压不会增加 ， 会处于饱和状态 。
【分析晶体管的共射特性曲线,温度升高时,晶体管的共射输出特性曲线将】
2、 晶体管 共射极单管放大电路实验原理 共射电路是放大电路中应用最广泛的晶体管连接 。信号从晶体管的基极和发射极输入，从集电极和发射极输出 。由于发射极极接地，故命名为共射极放大电路 。共射电路是放大器电路中使用最广泛的三极管连接 。信号从三极管和三极管的三个基本电路(连接)的基极和发射极输入，集电极和发射极输出 。由于发射极极接地，故命名为共射极放大电路 。特点1 。输入信号和输出信号被反转；2.大电流和电压增益；3、一般用作放大电路的中间级 。

连接负载电阻 。作为最常用的放大电路，必须掌握以下内容:1 。晶体管的结构 ， 晶体管各极的电流关系，-3曲线，放大条件 。2、元件的作用 ， 电路的用途，电压放大，输入输出信号电压相位关系 ， 交流和DC等效电路图 。3.静态工作点和电压放大系数的计算 。信号传输如上图所示，共射极放大电路要放大的是很小的交流信号Vi，它通过耦合电容C1以电压的形式加在晶体管的B~E之间 ， 以电流的形式通过B~E 。

3、求大神帮我 分析一下这张图,详细一点,晶体三极管 共射放大电路的温度 特性... 晶体管(不考虑基极)随着温度的升高，结势垒会发生变化 ， 势垒电压的变化会影响外电路(电池效应)，所以电流会发生变化 。而且这种相关性是互为因果的，也就是说，如果温度发生变化，PN结电压就会发生变化，反过来 ， 电压的变化也可以引起温度的变化 。这就是半导体制冷(半导体冰箱)的原理 。在共发射极放大器电路中，发射极结的势垒电压在温度升高时会变?。?所以在相同电压下，由于发射极结的势垒变小 ， Ib会变大，导致Ic变大 。

通常发射极串中的一个电阻可以把基极电路上电流变化引起的发射极电阻上的电压变化叠加起来，抵消基极上基极电压引起的电流变化 。这就是所谓的电流负反馈 。但是负反馈的工作前提是电流发生变化，所以负反馈只能减少变化 ， 不会使电流随着温度绝对不变 。即使反馈率为100%，当没有反馈时 ， 静态电流的变化也只是减小到1/β 。所以晶体管电流随温度变化是必然的，只忽略微小的变化 。

4、晶体三极管的 特性 晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一 ， 用“V”或“VT”表示(旧符号有“Q”、“GB”等 。)在电路中 。晶体管是一种半导体器件，内部有两个PN结，外部通常有三个引出电极 。具有放大和切换电信号的功能，应用广泛 。一、类型晶体管分类方法很多 。(1)按半导体材料和极性分类，所用半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管 。
(2)按结构和制造工艺分类晶体管按其结构和制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管、扁平型晶体管 。(3)按电流容量分类晶体管按电流容量可分为低功率晶体管、中功率晶体管、高功率晶体管，(4)按工作频率分类晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管、超高频晶体管 。(5)按封装结构分类晶体管按封装结构可分为金属封装(简称金封装)晶体管、塑料封装(简称塑封)晶体管、玻壳封装(简称玻璃封装)晶体管 。

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