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有衬底的mos管分析,mos管为啥将衬底和漏极短接

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n沟道增强mos晶体管衬底和源极电压因为如果栅极和源极之间没有电压 ， 谁能教我MOS晶体管的知识？MOS晶体管的源极和衬底通常是连在一起的(大部分晶体管出厂前都是连在一起的) 。为什么会有电流从漏极流到衬底？MOSFET漏极到衬底的电流一方面是漏极衬底结的反向漏电流 ， 但更多的是漏极高电场引起的碰撞电离效应产生的热载流子电流 ， 对器件的电压应用范围和寿命有影响 。

1、怎么由给定的MOS管三个电极直流电位参数判断是增强管还是耗尽管...网上有更详细的资料:增强型耗尽型:大部分电子管都是增强型，耗尽型用于无线电设备 。通常功率MOS是增强型的，它的功率可以做得很大 。从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，唯一不同的是当栅源电压为vGS0时 ， 耗尽型MOS管中的漏源之间存在导通 。

2、谁教下我MOS管的知识MOS管和衬底的来源通常是连在一起的(大部分管子出厂前都是连在一起的) 。增强型MOS晶体管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结 。主板上的PWM(PWM(pluswidtmodulator)芯片产生一个宽度可调的脉冲波形，使两个MOS晶体管轮流导通 。当负载两端电压(如CPU所需电压)要降低时 ， 此时MOS管的开关功能生效，外接电源给电感充电，达到所需的额定电压 。

3、请问三极管的工作原理,MOS管的工作原理是一个电子开关 。不要想太多 。从电子开关开始 。那就打开它 。有三个工作空间 。理解这条曲线 。三极管工作原理A三极管是一个电流放大器，有三个极，分别是集电极C、基极B和发射极E..分为NPN和PNP 。我们仅以NPN晶体管的共发射极放大电路为例来说明晶体管放大电路的基本原理 。一、电流放大以下分析只针对NPN硅三极管 。如上图所示 ， 我们把从基极B流向发射极E的电流称为基极电流IB；从集电极C流到发射极E的电流称为集电极电流Ic 。

三极管的放大作用是集电极电流受基极电流控制(假设电源能给集电极提供足够的电流)，基极电流的小变化会引起集电极电流的大变化，变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化是基极电流的β倍，即电流变化被放大β倍，所以我们称β为三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十或几百) 。

4、为什么会有漏极到 衬底的电流MOSFET到衬底的漏极电流一方面是漏极衬底结的反向漏电流，但更多的是漏极处高电场引起的碰撞电离效应产生的热载流子电流，对器件的电压应用范围和寿命有影响 。以N沟道MOSFET为例 。正常工作时，漏极电位最高，N型漏区和P型处于反向截止状态 。可能有轻微的反向漂移电流，但这几乎可以忽略不计 。另外，由于集成电路制造工艺的限制，MOS管的极间和极内会存在寄生电容等寄生效应，也会导致一定的漏电流 。但在中频一般工程应用中忽略这些因素，采用简化电路模型计算 。

5、关于增强型 mos管(N沟道 source set和衬底之间的连接是用电场控制导电通道 。源集和衬底是用二氧化硅隔离的，所以不会导电 。第二个问题是栅极和源极之间不加电压就不会有点沟道，是开路 。漏极先被夹断是因为测得的漏极电位高(当然以N沟道为例) 。1.源极和衬底之间的连接是MOS晶体管的一种用法 。当它们连接时，相当于将pn结(衬底 source)接零电压，pn结耗尽区的漂移电流和扩散电流平衡，pn结上的总电流为零 。
6、n沟道增强型 mos管的 衬底和源级电压【有衬底的mos管分析,mos管为啥将衬底和漏极短接】因为如果在栅极和源极之间不加电压 ， 漏极和源极之间有两个背对背的PN结，没有导电沟道，所以即使在漏极和源极之间加电压，也不会有漏电流，MOS晶体管也不会正常工作 。补充:衬底它对应的是P型硅，源对应的是N型硅，那么它如何达到同样的工作状态呢 。

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