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三极管9012参数,三极管9012参数是什么？

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三极管9012参数9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-909012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温 150℃特怔频率 最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
三极管9012参数是什么？9012 结构：PNP\x0d\x0a\x0d\x0a集电极-发射极电压 -30V\x0d\x0a集电极-基冲亩电压姿判改-40V\x0d\x0a射迹判极-基极电压-5V\x0d\x0a集电极电流0.5A\x0d\x0a耗散功率0.625W\x0d\x0a结温150℃\x0d\x0a特怔频率最小150MHZ\x0d\x0a\x0d\x0a放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
s9012参数与管脚图s9012参数与管脚图1. 介绍s9012s9012是一种PNP型晶体管，可用于低功耗放大器和开关应用 。它具有高电压能力和低静态电流消耗 ， 是一种常用的小信号放大器 。s9012的最大工作电压为40V，最大连续电流为500mA ， 最大功率为625mW 。2. 参数说明s9012的参笑岁数如下：最大工作电压：碰枯睁40V最大连续电流：500mA最大功率：625mW直流放大倍数：40 - 160最大频率：100MHz输入电容：12pF输出电容：4.5pF3. 管脚图s9012管脚图如下：4. 管脚描述各管脚的含义如下：发射极（Emitter）：负极，输入信号基极（Base）：正极，控制信号集电极（Collector）：输出信号5. 应用s9012可用于以下应用：低噪声放大器电流源开关振荡器6. 注意事项使用s9012需要注意以下事项：最大工作电压不得超过40V，否则可能会损坏晶体管在使用时需要保护好管脚，避免静电损坏晶体管使用时应避免超过最大额定电流和功率在布线和连接时应注意极性7. 总结s9012是一种PNP型晶体管 ， 可用于低功耗放大器和开关应用 。它具有高电压能力和低静态电流消耗，是一种常用的小信号放大器 。使用时需要注意最大工作电压、静电败清、电流和功率，以及极性 。s9012可用于低噪声放大器、电流源、开关和振荡器等应用 。
9012三极管引脚图？三极管9012引脚图如下：上图中的1表示的是发射极，2表示的是基极，3表示的是集电极 。9012是非常常见的PNP型晶体三极管 ， 在收音机以及各种放大电路中经常看到它 ， 应用范围很广，它是PNP型小功率三极管 。该三悔坦极管由发射极、基极、集电极 。9012的相关参数：集电极-发射极电压 -30V；集电极-基电压 -40V；射极-基极电压蠢此 -5V；集电极电流0.5A；耗散功率0.625W；结温150℃；特征频率最小150MHZ；放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 。扩展资料：9012三极管就是两头是N型，中间是P型 。N端为电子端，P端为空穴端 在制造三极管时，要把发射区的N型半导体电子浓度做得很大，基区P型半导体做得很薄，当基极的电压大于发射极电压（硅管要大0.7V，锗管要大0.3V）而小于集电极电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成IE 。但由于发射区的电子浓度很大，基区又很?。缱泳突岽┕聪蚱玫募缃岬郊缜腘型半导体里，形成IC；基区的空穴被复合后，基极的电压又会进行补给，形成IB 。三极管9012首要参数:集电极电流IC：Max -500mA 作业温度碧档桐：-55℃到+150℃ ， 集电极-基极电压Vcbo： -40V 可与NPN三极管9013配对 。参考资料来源：百度百科——三极管c9012
三极管9012是什么意思？三极管9012引脚图如下：上图中的1表示的是发射极 ， 2表示的是基极，3表示的是集电极 。9012是非常常见的PNP型晶体三极管，在收音机以及各种放大电路中经常看到它，应用范围很广 ， 它是PNP型小功率三极管 。该三极管由发射极、基极、集电极 。9012的相关参数：集电极-发射极电压 -30V；集电极-基电压 -40V；射极-基极电压 -5V；集电极电流0.5A；耗散功率0.625W；结温150℃；特征频率最小150MHZ；放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 。扩展资料：9012三极管就是两头是N型，中间是P型 。N端为电子端，P端为空穴端 在制造三极管时 ， 要把发射区的N型半导体电子浓度做得很大 ， 基区P型半导体做得很?。?当基极的电压大于发射极电压（硅管要大0.7V ， 锗管要大0.3V）而小于集电极电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合 ， 形成IE 。但由于发射区的电子浓度很大，基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N型半导体里 ， 形成IC；基区的空穴被复合后，基极的电压又会进行补给 ， 形成IB 。三极管9012首要参数:集电极电流IC：Max -500mA 作业温度：-55℃到+150℃，集电极-基极电压Vcbo： -40V 可与NPN三极管9013配对 。参考资料来源：百度百科——三极管c9012
三极管9012参数是什么？【三极管9012参数,三极管9012参数是什么？】9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90\x0d\x0a\x0d\x0a9012 结构：PNP\x0d\x0a集电极-发射极电压 -30V\x0d\x0a集电极-基电压 -40V\x0d\x0a射极-基极电压 -5V\x0d\x0a集电极电流 0.5A\x0d\x0a耗散功率 0.625W\x0d\x0a结温 150℃\x0d\x0a特怔频率 最小 150MHZ\x0d\x0a放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300

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