1，finfet 如何解决短沟道效应1.覆盖一层非晶表面层(阻挡层)2.将晶圆偏离主晶向5°~10°3.以大剂量硅或锗注入，对晶圆表面预损伤可在晶圆表面产生一个随机层 。虽然我很聪明，但这么说真的难到我了
2，多少年了终于明白了FinFET与FDSOI制程业界普遍表明：台积电的16nm好于三星14nm（RX580使用第三代FinFET 14nm，频率提升了） 并且NVIDIA采用Pascal（帕斯卡）架构，而AMD是Polaris（北极星）两家技术都不同 。位宽跟显存是有关系的 。（1070 8G就是256-bit）【FinFET，finfet 如何解决短沟道效应】
3，骁龙835是不是采用了三星10nm FinFET制造工艺是的 ， 骁龙835最大的一个特点是采用了三星10nm FinFET制造工艺，2015年底发布的骁龙820则是采用三星14nm FinFET工艺 。三星是业内最早推出14nm制程芯片的半导体公司，大幅领先台积电等竞争对手，而这次向10nm跨进也实属必然 。也许是的 。
4，手机何时可以用上高通10纳米FinFET骁龙835系统芯片高通公司指出 ， 其目前的目标是在2017年下半年批量出售10纳米FinFET服务器CPU ， 其10纳米FinFET骁龙835系统芯片专门面向智能手机平台，由三星公司负责制造并将于明年夏季之前推出 。你好！搜一下：手机何时可以用上高通10纳米FinFET骁龙835系统芯片？如有疑问，请追问 。5，10纳米处理器是哪个公司的新产品啊是高通公司的新产品高通骁龙835处理器，还有最新的高通Centriq 2400服务器处理器 。这两款芯片都是采用了最先进的10纳米FinFET制程技术制造而成 。其实金刚侠食物垃圾圾处理器推出市场已经很久了哦，只是这种环保型产品虽然没有运用的那么广泛，但是以后一定会在市场上拥有很好的占有率的！就凭它推崇的环保理念 ， 就一定没问题！6，手机猎户座7420怎么样7420是三星最新基于14nm FinFET技术的处理器 ， 这么说吧，高通810是基于20nm ， 我个人推测发热量和功耗会略低于810，但若是晶体管之间距离太小则会导致芯片不同部分之间发生漏电流现象，而FinFET工艺为了解决该问题 ， 会在两个传导通道之间加入一层很薄的硅“鳍” 。FinFET全称Fin Field-Effect Transistor，就是鳍式场效晶体管 。而7420 的GPU同样采用Mali-T760的，所以兼容性应该也不成问题 。但是，这里要强调的是 ， 苹果 A9 CPU有两家供应商，三星的A9芯片同样基于14nm FinFET，而台积电的A9芯片是16nm 。但是令人难以理解的是台积电的A9在功耗和稳定性上都由于三星的A9.别问我为什么我也想知道为什么，至于7420，我只能告诉你快，其它的我还没用出来?。。∪橇曰ё?420作为今年三星推出的旗舰产品，它在硬件配置方面表现出色，14纳米的猎户座处理器加上lpddr4内存都让人印象深刻 。这枚处理器的性能确相当的强大 。从芯片各项参数看，猎户座7420是三星赶超高通的一个有力武器 。它采用14纳米制作工艺超越了20纳米的骁龙810，核心面积只有大约78平方毫米，相比前一代芯片猎户座5433缩小了近45％ 。三星猎户座7420的内存控制器也从lpddr3升级为lpddr4，支持最高ddr4 1555mhz的运行内存，带宽最高可达24.88gb/s 。gpu方面，它集成了八个核心频率772mhz的arm mali-t760mp8，相比前作性能大幅提升 。回答完毕，希望采纳！
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