快速异步型SRAM，存取时间为35ns（或更短）的异步型SRAM可被归类为“快速”异步型SRAM。
国产SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit异步快速随机静态存储器，位宽8X1M字位。该器件采用先进的CMOS工艺和基于6-TR的单元技术制造，专为高速电路技术而设计。它特别适用于高密度高速系统应用。
EMI516NF16LM-10I使用8条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，其运行速度比读取周期中的地址访问时间快。封装采用48FBGA。代理英尚国际有限公司支持提供样品测试及技术支持。
【国产存储16Mbit异步快速SRAM芯片EMI516NF16LM-10I】EMI516NF16LM-10I特点
?快速访问时间：10ns
?CMOS低功耗待机(TTL)：35mA（最大值）
(CMOS):28mA(Max.)工作:85mA(8ns,Max.)75mA(10ns,Max.)
?3.3V电源
?TTL兼容输入和输出
?完全静态操作，无需时钟或刷新
?三态输出
?数据字节控制(x16模式)LB:I/O0~I/O7,UB:I/O8~I/O15
?标准48FBGA封装类型
?符合ROHS
?工业温度
安徽伟凌创芯微电子是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注于利基市场（Niche market）专用芯片/小型SOC芯片及SRAM芯片的整体解决方案，提供创新、高品质、高性价比、 供货持续稳定的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，降低客户研发难度，缩短客户量产时程。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。
