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热损耗直线下降30% 小米详解澎湃P1自研快充芯片

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IT之家 12 月 24 日消息，今天 ， 小米发布了米自研的第三款芯片澎湃 P1 。雷军称 ， 小米 12 Pro 搭载澎湃 P1 充电芯片，行业首次实现“120W 单电芯”充电技术 。
小米现已发布澎湃 P1 的详细介绍，官方称澎湃 P1 填补了 120W 单电芯快充行业空白 。
小米表示，过去的单电芯快充体系中 ， 要把输入手机的 20V 电压转换成可以充入电池的 5V 电压，需要 5 个不同种电荷泵的串并联电路 。大量的电荷泵和整体串联的架构会带来很大的发热量，实际使用中完全无法做到长时间满功率运行 ， 更难以做到 120W 高功率快充 。
驱动小米 120W 澎湃秒充的核心是两颗小米自研智能充电芯片：澎湃 P1 。它们接管了传统的 5 电荷泵复杂结构，将输入手机的高压电能，更高效地转换为可以直充电池的大电流 。
小米表示，澎湃 P1 作为业界首个谐振充电芯片，拥有自适应开关频率的 4:1 超高效率架构 ， 谐振拓扑效率高达 97.5%，非谐振拓扑效率为 96.8%，热损耗直线下降 30%。
澎湃 P1 本身承担了大量的转换工作：传统电荷泵只需要两种工作模式（变压、直通），而澎湃 P1 需要支持 1:1、2:1 和 4:1 转换模式，并且所有的模式都需要支持双向导通 ， 这意味着总共需要 15 种排列组合的模式切换控制 —— 是传统电荷泵的 7 倍 。正向 1:1 模式让亮屏充电效率更高 ， 正向 2:1 模式可兼容更多充电器，正向 4:1 可支持 120W 澎湃秒充，反向 1:2/1:4 模式可支持高功率反向充电 。
【热损耗直线下降30% 小米详解澎湃P1自研快充芯片】小米称，澎湃 P1 也是小米充电效率最高的 4:1 充电芯片 ， 可做到 0.83W / mm2 超高功率密度，LDMOS 也达到业界领先超低 1.18mΩmm2 RSP 。而澎湃 P1 芯片内部需要用到三种不同耐压的 FLY 电容，每颗电容需要独立的开短路保护电路，而每种工作模式又需要严格控制预充电压，功率管数量接近传统电荷泵的两倍 。并且因为拓扑设计和功能复杂度的提升，每片澎湃 P1 在出厂时都需要通过 2500 多项测试 ， 远高于传统电荷泵 。
IT之家了解到 ， 即将在 12 月 28 日发布的小米 12 Pro 是第一款搭载澎湃 P1 的智能手机，它支持有线 120W 澎湃秒充、50W 无线秒充和 10W 无线反向充电 。

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