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为什么手机充电会烧坏数据线

生活经验


为什么手机充电会烧坏数据线

为什么以前我们的手机充电，要不了多久充电器便会发烫，甚至于起火？现在即使是一整夜不去管，高端品牌手机的充电器也不会发烫，一部分原因是因为手机充电器的缘故，如今都讲究的是快充时代，不仅快，充电器还不会发烫，这就很厉害了！
手机因为充电发烫，不小心可能会导致起火呢！
大家第一反应：为什么会容易发热，便宜呗！对，一些低端品牌手机可达不到充电不易发热的高度，往往手机的电还没有充满格，充电器便开始发烫了；
为此手机企业曾做过分析：因为半导体材料没有升级，那不是氮化镓充电头技术，手机部分内置半导体材料也不是氮化镓 。
就连华为建设5G信号基站也在大量使用氮化镓作为半导体原材料，可见氮化镓有多火！
氮化镓其实是氮与镓的提取物，一种半导体原材料，其有着导热性能优，功率更大，体积更小的特点，氮化镓就是当前高端电器设备里面不能缺少的半导体材料了 。
半导体大家都很熟悉，比如LED光源，内存卡，芯片，各种二极管或者充电设备等等，都会用到它 。半导体，顾名思义即是绝缘体又可以导电，要半导体在产品里面扮演什么角色？这可要看设计制造者怎么做了 。
到目前为止，半导体材料已经过了三个发展阶段——第一代半导体是硅(Si)，第二代半导体是砷化(GaAs)，第三代半导体又称宽带隙半导体(WBG)则是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN) 。
虽然这个领域并没有“后浪拍前浪，前浪死在沙滩上”的说法，以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段，Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用，但不可否认，第三代半导体确实具有更多的性能优势 。
随着5G、电动车时代来临，科技产品对于高频、高速运算、高速充电的需求上升，硅与砷化镓的温度、频率、功率已达极限，难以提升电量和速度；一旦操作温度超过100度时，前两代产品更容易出故障，因此无法应用在更严苛的环境；再加上全球开始重视碳排放问题，因此高能效、低能耗的第三代半导体必然成为新时代下的宠儿 。
第三代半导体在高频状态下仍可以维持优异的效能和稳定度，同时拥有开关速度快、尺寸小、散热迅速等特性，当芯片面积大幅减少后，有助于简化周边电路设计，进而减少模组及冷却系统的体积 。
看到此处大家应该明白，为什么我们的手机充电时，充电器会发热的原因在哪里了吧！
手机充电器容易发热现象在高端品牌手机里面早已不是问题，因为他们都用到了氮化镓（半导体）作为充电器的最主要材料 。
目前手机充电器已经进入了快充时代，什么18w、65w、80w功率的手机快充电器琳琅满目，功率单位当然是越大越好 。
如果具备氮化镓充电头技术的快充电器功率是100w，手机内置元器件也加入氮化镓代替原来半导体材料呢？只是目前国内外拥有该技术的手机企业可谓是凤毛麟角，但国内的一家企业就做到了，那就是前OPPO的高管李炳忠在深圳创立的真我realme智能手机品牌的研发团队 。
realme是一家专注于提供优质智能手机的手机品牌，秉承创新基因，realme在产品性能、设计、品质和服务方面不断超越自我 。realme面向全球，并在印度开拓市场，之后更在埃及、巴基斯坦、泰国等六十多个国家打开市场，是为年轻人而来的科技潮牌，秉持敢越级品牌的理念中不断创新，一跃而起成为目前国内高端手机市场的一匹“黑马” 。
就真我realme手机品牌近日刚发布的真我GT2大师探索版，搭载骁龙8+移动平台及内置5000mAh大电池，不仅支持100W快速秒充，25分钟即可为手机充电至100% 。此外，真我GT2大师探索版还将首发全链路GaN百瓦秒充，首次在手机端引入氮化镓功率器件，搭配100W氮化镓充电头，官方称发热峰值降低85% 。氮化镓充电头的优势相比较普通充电头其有着体积更小，功率更大导热系数更强的特点 。
其次realme真我GT2大师探索版首发的超级N28自由四天线技术，也成为其此次的最大卖点之一 。什么是N28自由四天线技术？普通手机只有两个内置天线，这就会造成我们因为手握手机的姿势改变而产生信号延迟 。采用新技术手段过后，realme真我GT2大师探索版常用网络场景网速将提升70%，支持自由天线切换技术2.0，信号强度提升1.5倍 。意味着不论用什么姿势，都不必担心手机的信号会延迟或者衰减 。
该平台支持全部SnapdragonEliteGaming特性，能够提供超流畅的操控响应、色彩丰富的HDR场景和最佳视觉质量，以及众多端游级特性 。凭借进一步的增强，骁龙8+集成的高通AdrenoGPU实现了高达10%的频率提升和30%的功耗降低，赋能极致游戏体验 。骁龙8+采用的高通KryoCPU也实现了10%的处理速度提升，和30%的能效提升 。

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