芯片的制造工艺流程主要分为前道工艺和后道工艺 。光刻机的工作位于前道工艺 。前道工艺里 。有300到400个子工序 。而光刻机占其中的60%左右 。处于最复杂最尖端的领域 。
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当然 。上图只是芯片制造的流程 。具体工艺纷繁复杂 。晶圆运进芯片制造厂后 。从晶圆洗净开始 。就正式进入制造程序 。整个制造工艺包括数百道工艺 。详见下图 。
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由于各厂家有不同的工艺 。而每一道工艺的细微差别 。都会拉开差距 。
因此中芯国际和台积电的差距可能主要体现在掺杂物导入工艺、薄膜形成工艺和光刻胶工艺过程等工艺流程上 。
原因不难理解 。对芯片制造公司来说 。采用何种设备 。以及具体的工艺流程 。可以决定芯片的良率 。
比如掺杂物导入工艺中的离子注入工艺所需的离子注入装置价格很贵 。设计、制造、使用都需要高深的物理学工学基础 。同时离子注入装置厂商与芯片制造厂还存在知识产权共享问题 。换句话说就是芯片制造厂参与了离子注入装置厂商的研发活动 。双方的合作有排他性 。从而构建出相对于竞争对手的优势 。
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两家公司目前工艺流程的具体差距 。体现在台积电已经开始量产5nm 。中芯国际已量产14nm 。12nm获突破 。考虑到12nm是14nm的改良 。中间隔着10nm、7nm 。落后两代 。按时间算大概两到三年 。这个差距并不算遥远 。
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