分析霍尔效应斜率变化原因

霍尔 效应实验误差分析是什么?霍尔 效应,是什么原理?高二物理的详细解释霍尔-2霍尔-2/是磁电的一种效应 。这就是霍尔 效应检测电流的原理,1.-3霍尔-2/磁场测量的误差来源2,如何消除霍尔-2/副手效应 。

1、 霍尔 效应中为什么当励磁电流较大时,Uh-Im直线下跌(急很可能是,当电流较大时,铁磁性物质达到饱和,由于磁导率减?。懦”湫?。霍尔元素在变化处与磁场成线性关系,所以你懂的 。首先你要明白BuH,h是磁场强度,距离是一定的,h和I成正比;对于非磁性材料,u几乎是常数;对于磁性材料来说,U不再是常数,B和H不是正比关系,也不是单值函数 。磁性材料的B(H)函数的图像变成了磁滞回线 。当初始H不变时,这个像在第一象限的斜率处不断减小,最后变化几乎为零,使其磁饱和 。

2、高二物理 霍尔 效应的详解霍尔效应是磁电的一种效应,是美国物理学家霍尔(A.H .霍尔,18551938)发现的 。导体垂直于磁场和电流方向的两端面会有电位差,为霍尔 效应 。这个电位差也叫霍尔电位差 。在导体上施加垂直于电流方向的磁?。?会使导体中的电子和空穴受到不同方向的洛伦兹力 。

这个电场会使后续的电子空穴受到电功率 , 以平衡磁场引起的洛伦兹力,使后续的电子空穴能够顺利通过霍尔-2/这就叫霍尔-2/ 。产生的内置电压称为 。假设导体是一个长方体,长为a , 磁场垂直于ab平面 。流过ad的电流,电流inqv (ad),n为电荷密度 。设霍尔的电压为VH,导体沿霍尔的电压方向的电场为VH/A .设磁场强度为B. FEFMQVH/AQVBVH 。

3、 霍尔 效应是什么原理啊?2.1霍尔-2/如图1所示,在通电的半导体晶片上,当施加垂直于晶片表面的磁场B时,晶片的两个侧面都会出现电压,如图1中的VH所示 。这个现象是霍尔/1233 。VH称为霍尔电压 。(a) 霍尔 效应和霍尔产生这种现象的原因是通电的半导体晶片中的载流子在磁场产生的洛伦兹力的作用下发生偏转,向晶片的侧面聚集,从而形成电场,称为- 。

【分析霍尔效应斜率变化原因】此时在晶圆两侧建立了稳定的电压,为霍尔 voltage 。在晶片上制作四个电极,其中在C1和C2之间施加工作电流I,C1和C2称为电流电极,在C3和C4之间取霍尔电压VH , C3和C4称为敏感电极 。每个电极上焊有引线,芯片用塑料封装,这样就形成了一个完整的霍尔元件(也称霍尔芯片) 。

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