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igbt关断特性分析,IGBT关断特性

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因为缓冲层的存在，PT IGBT以牺牲反向阻断获得更好的正向阻断特性，而NPT IGBT则有更好的正向阻断特性 。特性 分析及tgbi电路IGBT门驱动电路的应用6:23摘要:详细阐述了功率绝缘栅双极晶体管IGBT对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路时应考虑的问题 。

1、用IGBT做开关时,开关时间跟负载电流大小有关吗?要看你驱动的负载是不是感性元件 。如果不是，那就只和g有关，如果是，那就得计算了 ， 因为电感元件都有感应电动势，电流越大感应电动势越强 。如果负载是100A，感应电动势会达到几千伏，所以必须加一个吸收电路，这个电路和IGBT的-2有关 。该组合是感性负载或阻性负载 。如果IGBT能在这两种电流下工作，时间就不同了 。当关断信号发出后，由于电路中不可避免的电感，电流不会立即降为零，直到ce两极积累的载流子逐渐消失，才完全关断 。
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2、IGBT 特性IGBT的特性其实和三极管差不多，只不过场管是电压驱动的元件 ， 在饱和之前也有三个状态 。当然，要看场管的系数才能开启 。当外部电压达到导通电压时，该元件导通 ， 有电流流过场管，当电压下降到一定的导通阈值时，它就会关断 。开启阈值不可能是0，这是所有半导体功率器件的特性，一般是0.5V ~ 4V 。至于IGBT，阈值一般在2V左右 。IGBT是大功率驱动元件 。

3、 igbt使用中的几个常识性问题1 。IGBT开关基本知识IGBT(绝缘栅型功率晶体管)是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应晶体管)组成的复合型全控压驱动电力电子器件 。用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 。IGBT是垂直功率MOSFET的自然演变，适用于大电流和高电压应用以及快速终端设备 。

虽然最新一代的功率MOSFET器件在RDS(on) 特性上有了很大的提升，但是在高电平下，功率导通损耗仍然远远高于IGBT技术 。与标准双极性器件相比 ， 更低的压降、转换为低VCE(sat)的能力以及IGBT的结构可以支持更高的电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图 。IGBT的基本结构在图1的纵剖面和等效电路中示出 。

4、 igbt的工作原理从图1可以看出，IGBT具有P /N/P/N 的四层结构 。可以认为IGBT由一个MOSFET和一个PNP晶体管组成，PNP晶体管由栅极控制的MOSFET驱动 。它也可以看作是由一个VDMOS和一个PN二极管组成 。以图1为例，分析IGBT的工作模式 。在图1所示的结构中，当栅极G与发射极E短路并与正电压连接而集电极与负电压连接时，器件处于反向截止状态 。

当栅极G与发射极E短路，集电极C施加相对于栅极的正电压时 ， 结J1和JBOY3乐队正向偏置，结J2反向偏置，因此电流仍然不能导通，电压主要由反向偏置的结J2承担 。此时，IGBT正处于向前关闭状态 。因为缓冲层的存在，PT IGBT以牺牲反向阻断获得更好的正向阻断特性 ， 而NPT IGBT则有更好的正向阻断特性 。当向集电极C施加正电压并且向栅极G和发射极E施加的电压大于阈值电压时，IGBT的MOS沟道导通，并且器件进入正向导通状态 。

5、tgbi电路-2分析及IGBT栅极驱动电路的应用6:23摘要:详细阐述了功率绝缘栅双极晶体管IGBT对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路时应考虑的问题，总结了IGBT驱动电路的常见类型，并给出了几个具有实际意义的典型电路 。关键词:IGBT；特性;分立驱动电路；集成驱动电路介绍1绝缘栅双极晶体管(IGBT)由MOS和双极晶体管结合而成，在应用中具有一系列优点 ， 如电压模式驱动、驱动功率低、开关速度快、饱和电压降低、耐高压大电流等 。
IGBT在很多领域已经逐渐取代了巨晶体管(GTR)和功率场效应晶体管(MOSFET) 。然而，IGBT 特性的良好性能往往受到其栅极驱动电路设计不合理的制约 ， 本文介绍了IGBT对其门极驱动电路的要求，并介绍了一些门极驱动集成电路的应用 。

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