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镜像 电流源 分析,镜像电流源为什么工作在放大

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【镜像 电流源 分析,镜像电流源为什么工作在放大】镜像 电流源，基本型中MOSFET电源的常用镜像 电流源电路镜像 电流 。解释如下:Vbe>0.7V晶体管饱和导通 ， 0.5V模式bjt 镜像 电流源微之差电流Source镜像电流 。

1、 镜像 电流源中,基极和集电极短接不是进入饱和状态,为什么按线性放大状...如果真的在饱和状态下工作，只能当开关用，不能当放大器用 。个人理解，自学，如有不对请指正 。确实饱和了，还是符合IcBIb，但是放大倍数小于额定值 。由于电路中的环路器件Iref的参数是固定的，那么Ib1和Ic1就是固定值 ， 所以不需要讨论它是不是线性的 。线性与否是为了分析的动态特性 。在这个电路中，分析是静态特性，也是定量计算 。

2、MOSFET电源的常用 镜像 电流源,T3的ds连起来有什么作用百度不满意同样的问题 。个人理解如下:1)1)MOSFET工作在饱和区时，Vds受Vgs控制 。2)2)T3的D和G短路，保证了饱和条件 。3)如果VDD不稳定，当VDD上升时，T3的Vgs也上升，那么Vds也上升，从而保持T1的漏极电压基本稳定 。如果T3是一个电阻，T1的漏极电压将随VDD而波动 。这个T3用来产生一个常数电流 。当电源电压变化时，T3的VGS不变，工作在饱和区，因此其漏源电流不变 。

T2管的偏置电压也是正向偏置Ugs>0，Uds>0，所以三个管都是导通的 。而且T1和T2管道的参数是完全对称的，所以Ids1Ids2，所以这是镜像电流source 。而且随着vdd VDD，VSS的电源变化，GS和DS之间的电压变化，所以电流同步增减，就像照镜子一样 。你大，我大，你小 。

3、在基本 镜像 电流源电路中,Uce=Ube,集电结不反偏,那么集电极应该没有 电流...1，“VceVbe≈0.7V”是电路的一种特殊工作状态(模式) 。理论上，VceVbe的状态一般称为临界饱和，VCE < VBE的状态称为过饱和 。当然，低功率BJT的饱和电压小于高功率BJT的饱和电压 。例如，低功率BJT可以小于0.4V，而高功率BJT可以大于1.0V 。因此 ， 上述定义只是一般概念 。在你的问题中，应该认为是VCE = 0.7V > 0.4V，所以可以工作 。

即在本例中，可以理解为“Vce电压未饱和”或“电压在临界饱和电压以上”，因此电路不仅可以工作，而且在集电极和基极短路后还能正常工作(建议不要描述为“短路”，因为短路通常是故障状态的术语) 。2.发射极结应该是正向偏置，集电极结应该是反向偏置 ， 这就是此时的放大状态 。

4、我有一个 镜像 电流源的问题你说的操作可行性是存在的，但是违背了镜像-1/Source的本质功能 。镜像-1/来源是用Ic2来等效基准 。如果使用不同的灯管，只能实现恒流，却失去了镜像的功能 。而且如果用不同的灯管，温度特性不一样 ， 恒流的效果不稳定，所以如果非要用两个灯管，输出电流就会不稳定 。不会，因为电路中只有一个晶体管，当晶体管充当二极管时 ， 好像是因为连接的PN结形成的肖特基势 。

5、关于 镜像 电流源的问题首先要知道传导不等于饱和 。饱和CE电压降约为0.3V，但传导可在0.3V至接近电源电压的范围内(micro 电流) 。“饱和的条件不是集电极结偏置，发射极结偏置？这里的集电极结没有偏置电压 。”这句话不对 。偏置方面，基极和发射极要正向偏置，集电极要反向偏置 。这里原来的集电极电压已经通过R反向偏置了，满足条件，但是你不知道什么是正向偏置，什么是反向偏置 。
这句话的答案是:“假设VbVc对ve超过0.7V，VT1饱和导通 ， R上的电压下降到Vcc0.3V，其基极电压为0.3V，如果这个假设不成立 ， 则假设VbVc对Ve为0.5V~0.7V，VT1导通” 。请再解释一遍或者从另一个角度给我解释一下，谢谢你 。解释如下:Vbe>0.7V晶体管饱和导通，0.5 。

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