锐客网

  1. 首页 > 睿知 > >

igbt电压击穿特性分析,IGBT驱动电压波形分析

经验分享睿知

它类似于GTR 特性的输出 。也可分为饱和区1、扩增区2和击穿 特性3，它类似于GTR 特性的输出，也可分为饱和区1、扩增区2和击穿 特性3，IGBT工作特性静电特性IGBT静电特性主要是伏安特性转移特性和开关-3 。IGBT的伏安比特性是指以栅源比电压Ugs为参数变量时，漏极电流与栅极电压的关系曲线 。

1、IGBT在工作的时候的特点是什么【igbt电压击穿特性分析,IGBT驱动电压波形分析】高速开关 。它要么全开，要么全关 。IGBT工作特性静电特性IGBT静电特性主要是伏安特性转移特性和开关-3 。IGBT的伏安比特性是指以栅源比电压Ugs为参数变量时 ， 漏极电流与栅极电压的关系曲线 。输出漏电流比由栅源电压Ugs控制，Ugs越高 ， Id越大 。它类似于GTR 特性的输出 。也可分为饱和区1、扩增区2和击穿 特性3 。

如果没有N 缓冲，正反向阻断电压可以达到同样的水平 。加了N 缓冲后 ， 反向关断电压只能达到几十伏 ， 限制了IGBT的一些应用范围 。IGBT 特性的转移是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs的关系曲线 。与MOSFET 特性的传输相同 。当栅源比电压小于导通比电压Ugs(th)时，IGBT处于截止状态 。在IGBT开启后的大部分漏极电流范围内 ， Id和Ugs之间的关系是线性的 。

2、IGBT的应用及工作特征是什么IGBT 特性的伏安是指以栅源电压Ugs为参数变量时，漏电流与栅电压的关系曲线 。输出漏电流比由栅源电压Ugs控制，Ugs越高 ， Id越大 。它类似于GTR 特性的输出 。也可分为饱和区1、扩增区2和击穿 特性3 。在IGBT关断状态下 ， 正向电压由J2结承担，反向电压由IGBT转移特性参考输出漏极电流Id与栅源的关系曲线电压Ugs 。

在IGBT开启后的大部分漏极电流范围内，Id和Ugs之间的关系是线性的 。最大栅源电压受最大漏电流限制，其最佳值一般在15V左右 。IGBT的开关特性指的是漏电流和漏源的关系电压 。IGBT导通时，其PNP晶体管为宽基极晶体管，因此B值极低 。虽然等效电路是达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分 。

3、电力半导体器件IGBT有哪些特点?IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶体管)的结合 。它的三极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G) 。特点:击穿-2/可达1500AV V 。

    推荐阅读


    上一篇：分析谷歌商业模型和服务

    下一篇：统计分析方法与SPSS应用教程