锐客网

  1. 首页 > 睿知 > >

可控硅触发电路分析,bt151可控硅触发电路

经验分享睿知

可控硅触发Transformer电路 。请教一下可控硅-1电路设计相关知识可控硅essential触发必须有一个栅极电流，这个电流达到一定值才能使用，电路Middle可控硅调速交流电机电路-3/Consult，(3)可控硅Control电路 。

1、 可控硅的工作原理和主要作用 1和可控硅的概念和结构也叫晶闸管 。自20世纪50年代问世以来，它已经发展成为一个大家族，主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、反向晶闸管、关断晶闸管、快速晶闸管等等 。今天人们使用的是单向晶闸管，也就是通常所说的普通晶闸管 。它们由四层半导体材料组成，有三个PN结和三个外电极(图(A)):从第一层P型半导体引出的电极称为阳极A，从第三层P型半导体引出的电极称为控制电极G，从第四层N型半导体引出的电极称为阴极k 。

二、可控硅的主要工作特点为了直观地了解可控硅的工作特点，我们先来看看这个教学板(图) 。可控硅VS与小灯泡EL串联，通过开关s连接到DC电源，注意阳极A是电源的正极，阴极K是电源的负极，控制电极G通过按钮开关SB连接到3V DC电源的正极(这里用的是KP5 -0，KP1的话应该连接到1.5V DC电源的正极

2、 可控硅、MOSFET、IGBT、GTO是电压 触发还是电流 触发,它们在作用上有什么... 可控硅，GTO为电流触发，其中可控硅 触发直到电流过0才会关闭；GTO称之为turnoff 可控硅，有电流时可以关断 。MOSFET和IGBT都是压控器件，类似于场效应晶体管，可以通过栅极电压实现开关，开关速度比GTO高 。因为MOSFET的耐压水平无法进一步提高，所以引入了场效应晶体管和双极晶体管相结合的器件IGBT 。它们的共同作用是用较小的电流(或电压)控制较大的电流，两者都具有单向导电性 ， 可用作整流和逆变元件 。
【可控硅触发电路分析,bt151可控硅触发电路】
与GTO和MOSFET器件相比，IGBT在开关速度、耐压和驱动功率方面具有更加优异的特性 ， 因此被广泛应用于逆变器、有源滤波和补偿、逆变等领域 。扩展数据可控硅是P1N1P2N2的四层三端结构元件，共有三个PN结 。当采用分析的原理时，可视为由一个PNP管和一个NPN管组成，其等效图如右图所示 。

    推荐阅读


    上一篇：极差分析方法

    下一篇：即刻app用户增长分析