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电子厂坏mos管分析原因

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mos灯管烧坏时保险丝好的原因mos灯管烧坏时保险丝好的原因如下:1 。Mos的栅极和源极之间、源极和漏极之间以及栅极和漏极之间存在等效电容，如何更换LED电源浪涌损坏的Mos管？三极管是电流控制器件，mos管是电压控制器件 ， 控制方式也差不多，就是一个输入信号是电压，一个是电流 ， 因为mos管是电压器件，所以在运输和安装过程中应注意防止静电击穿 。运输采用三脚短接方式 ， 望采纳 。

1、关于P-MOS开关电路MOS管经常性烧坏的求助 Hello: 1 。PMOS场效应晶体管AO4409的栅极和漏极之间的耐压为10V，当电源电压B 超过10V时可能会击穿 。2.建议你在【栅极→漏极】之间安装一个电阻 ， 利用【电阻分压】降低栅极的负电压，避免PMOS FET AO4409击穿 。3.电阻的选择应确保当B 电源达到12V时，FET AO4409的栅极[不超过10V] 。

2、MOS管与三极管有什么区别?为什么国产的MOS管都很容易坏?晶体管是电流控制器件 ， mos tube是电压控制器件 。控制方式也差不多，就是一个输入信号是电压，一个是电流 。因为mos管是电压器件 ， 所以在运输和安装过程中要注意防止静电击穿 。运输中经常采用三脚短路法，希望能采用 。MOS管的内阻比较小，驱动电流也比较小 。三极管内阻比较大，驱动电流比较大 。国产MOS很多参数都是虚的，很多都达不到标称值，容易烧坏 。

3、LED开关电源老化时MOS管爆炸有哪些原因导致?是隔离式开关电源,上电不...可能是国产MOS管，电流和伏特数达不到或者不稳定 。电源坏了，不仅仅是更换MOS的问题 。烧的原因不是MOS“到了寿命” ， 而是因为某些原因烧的 。也就是说，真正的罪魁祸首不是MOS，而是控制MOS的电路 。(电源不会因为过载烧坏MOS ， 因为开关电源会限制电流，所以控制部分基本坏了 。)当MOS长时间开启 ， 或者开启/关闭不完全时，MOS会严重发热烧毁 。

4、电路中MOS管损坏问题很简单 。2.小尺寸、MOS输入阻抗、低噪声、低功耗和易于集成 。问题的关键是这些性能比晶体管三极管效率更低 。3、虚、虚短虚断指的是类似的虚地看看下面的话是不是不切实际的接地气表现 。同样 ， 虚短也不是表面上的短路，其表现和短路差不多 。虚拟网球公开赛实际上并没有打开电路，只是表现类似于断线 。运算放大器的线性区域，分析，取决于是否引入电压负反馈运算放大器 。

5、MOS管总发烧?大部分就是这四个原因设计电源或驱动电路时，不可避免地要用到场效应晶体管，也就是常说的MOS晶体管 。MOS晶体管的种类很多，功能也很多 。对于供电或者驱动，当然是用来开关的 。接下来，我们来了解一下MOS管烧坏的四个关键因素 。本内容主要针对内置功率调制器的高压驱动芯片 。如果芯片消耗的电流是2mA，给芯片施加300V的电压，芯片的功耗是0.6W，当然会造成芯片发热 。

/imAge-6/mAh为容量，ma为电流；图片好像是电池保护板电路；充电时电极接反，可能会烧坏MOS管 。主要原因是反接后充电器电压和电池电压叠加 ， 相当于(P，P)输出短路 ， 很快烧坏 。保护芯片IC只检测电池的状态，达不到保护启动条件，所以充电器反向充电会烧坏电池保护板电路 。这个电流是正常的，应该是次品 。或者一开始就没有做好电压保护 。
【电子厂坏mos管分析原因】
6、LED电源打浪涌打坏Mos管怎么解决替换 。在检测到MOS管损坏后，必须更换其周围的灌注电路的所有元件 ， 因为MOS管的损坏也可能是灌注电路元件不良造成的 。即使MOS管本身损坏，在MOS管击穿的那一瞬间 ， 灌注电路元件也损坏了，应该更换 。MOS管，简称MOSFET 。金属氧化物半导体场效应晶体管 。
7、 mos管烧坏了为什么保险管却是好的 mos熔丝管烧坏的原因是好的:1 。Mos的栅极和源极之间、源极和漏极之间以及栅极和漏极之间存在等效电容，给栅压充电的过程就是给电容充电的过程(电容电压不能突变) 。mos源级和漏级之间的导通过程受到栅电容充电过程的限制 ， 2.pcb过孔损坏 。建议直接更换设备 。

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