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RRAM，新型RRAM将推出 未来手机内存可至1TB 这么大容量不浪费么

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1，新型RRAM将推出 未来手机内存可至1TB 这么大容量不浪费么电脑的配置没找到资料，没电了
2，不会有DDR5了么谢谢楼主分享啦，一代换一代嘛 。应该会有吧 现在的显卡不是有5了吗不会有DDR5了么？当然会有的 。
3，小米4内存容3GB RAM16GB ROM和2GB RRAM32GB ROM那个较好存东西优先，当然是2G+32G了，16G除去系统应用占用的部分，用户真正能用的也就10g左右，存不了多少东西，而32G除去系统应用占用的部分，能用有25G左右，比16g的大多了 。3G ram的优势相比2G ram，优势其实也没有那么的明显 。你好！倾向于后者 ， 仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢 。3gb的好用，运行内存大，流畅 ， 真的【RRAM，新型RRAM将推出 未来手机内存可至1TB 这么大容量不浪费么】
4 ， 电阻式存储器RRAM什么是电阻式存储器RRAM储存就是把文件变成01两个字然后再储存器介质上让每个开关该开的开，不该开的关，然后几亿个开关全部听取上级的命令全部就位 。储存器分为几种一种是可写可读但是不能在擦除比如DVD-R和+R光盘只能写入 。有些则是靠电让开关维持开启或者关闭，没电了里面的开关随之复位数据就丢失，这就好比电脑里面的内存（RAM）而且它还要一遍一遍的刷新 。手动打字也马上，其实就是可挥发性和不可挥发性储存 。要说电阻储存器也就是开关，比方说一种电阻材料给他一点电它就改变了阻值变弱了它就是通电了也就是开关导通那就是开表示1，如果没有电去刺激它他就是高电阻不通电表示0，那么如果用特定电压再次给某个电阻施加电压那么他又改变了电阻值刚才导通的电阻又变成高阻值，那么它有关上了开关变成了0，就做做到了可擦写的特性 。个人观点请勿喷！没看懂什么意思？5，关于tftp下载TFTP：简单文件传输协议 (TFTP：Trivial File Transfer Protocol) 简单文件传输协议是一种用来传输文件的简单协议 ， 运行在 UDP （用户数据报协议）上 。TFTP 的被设计为小而简单容易的运行，因此，它缺乏标准 FTP 协议的许多特征 。TFTP 只能从远程服务器上读、写文件（邮件）或者读、写文件传送给远程服务器 。它不能列出目录并且当前不提供用户认证 。当前 TFTP 有 3 种传输模式： netASC11 模式即 8 位 ASC11 ；八位组模式（替代了以前版本的二进制模式），如原始八位字节；邮件模式，在这种模式中，传输给用户的不是文件而是字符 。主机双方可以自己定义其它模式 。在 TFTP 协议中，任何一个传输进程都以请求读写文件开始 ， 同时建立一个连接 。如果服务器同意请求，则连接成功 ， 文件就以固定的 512 字节块的长度进行传送 。每个数据包都包含一个数据块，在发送下一个包之前，数据块必须得到确认响应包的确认 。少于 512 字节的数据包说明了传输的结束 。如果包在网络中丢失 ，  ， 接收端就会超时并重新发送其最后的包（可能是数据也可能是确认响应），这就导致丢失包的发送者重新发送丢失包 。发送者需要保留一个包在手头用于重新发送，因为 LOCK 确认响应保证所有过去的包都已经收到 。注意传输的双方都可以看作发送者和接收者 。一方发送数据并接收确认响应 ， 另一方发送确认响应并接受数据 。后面的映射也是必须的对于配置文件来说 ， 参数值run表示存放在dram中的配置 。start表示存放在nvram中的配置需要让你注意的是：所有的配置命令只要键入后马上存在dram并运行,但掉电后会马上丢失 。而nvram中配置只有在重新启动之后才会被复制到dram中运行，掉电后不会丢失 ， 因此，必须养成好的配置习惯 。在确认配置正确无误后将配置文件复制到nvram中去 。首先应该：copy run start（如果你不需要掉电保护的话，直接将dram的数据放在tftp中备份吧）可以将dram中的配置复制到tftp服务器中进行备份,用命令copy run tftp路由器会询问你的tftp服务器的ip地址及以何文件名存盘，输入正确的服务器ip地址和文件名后 ， 即可 。可以将tftp中的配置文件复制到路由器nvram中 ， 用命令copy tftp start路由器会询问tftp服务器根目录下的配置文件名及在路由器上以什么名字复制该配置文件 。基本步骤就是先把你的配置数据放在rram中 ， 转到tftp中再copy到你的nvram中 。其实他的copy和win下的copy 功能是一致的，所以我觉得你的替换结果只有在更改的地方替换，没更改的地方不会替换 。所以我认为你的替换结果应该是1,2,3,4（新），5的那种情况 。希望有所帮助，因为对我来讲我也在学习~~呵呵 补充下：你的start up config 里的内容在替换时只能替换nvram中的内容，不能替换掉flash中的内容，所以那里的一些信息包括vlan.dat的配置文件没有被替换掉 。6，忆阻器的发展过程HP 关于忆阻器的发现在 2008 年时发表于「自然」期刊，2009 年证明了 CrossLatch 的系统很容易就能堆栈，形成立体的内存 。技术每个电线间的「开关」大约是 3nm x 3nm 大，开关切换的时间小于0.1ns，整体的运作速度已和 DRAM差不多，但是开关次数还不如DRAM-- 还不足以取代 DRAM，但是靠着 1 cm2 100 gigabit（GB） ，  1cm3 1 petabit（数据存储单位1PB=1000TB）（别忘了它是可以堆栈的）的惊人潜在容量，干掉闪存是绰绰有余的 。但是 Crossbar Latch 可不止用来储存数据而已 。它的网格状设计，和每个交叉点间都有开关 ， 意味着整组网格在某些程度上是可以逻辑化的 。在原始的 Crossbar Latch 论文中就已经提到了如何用网格来模拟 AND、OR 和 NOT 三大逻辑闸，几个网格的组合甚至可以做出加法之类的运算 。这为摆脱晶体管进到下一个世代开了一扇窗，很多人认为忆阻器电脑相对于晶体管的跃进 ， 和晶体管相对于真空管的跃进是一样大的 。另一方面，也有人在讨论电路自己实时调整自己的状态来符合运算需求的可能性 。这点，再搭配上忆阻器的记忆能力，代表着运算电路和记忆电路将可同时共存，而且随需要调整 。这已经完全超出了这一代电脑的设计逻辑，可以朝这条路发展下去的话，或许代表着新一代的智慧机器人的诞生 。忆阻器和 Crossbar Latch 的组合代表的是电脑科技的全新进展，或许能让我们再一次延续摩尔定律的生命，朝向被机器人统治的未来前进 。惠普实验室的研究人员认为RRAM就是Chua所说的忆阻器，其报道的基于TiO2的RRAM器件在2008年5月1日的《自然》期刊上发表 。加州大学伯克利分校教授蔡少棠，1971年发表《忆阻器：下落不明的电路元件》论文，提供了忆阻器的原始理论架构，推测电路有天然的记忆能力，即使电力中断亦然 。惠普实验室的论文则以《寻获下落不明的忆阻器》为标题，呼应前人的主张 。蔡少棠接受电话访问时表示，当年他提出论文后，数十年来不曾继续钻研，所以当惠普实验室人员几个月前和他联系时，他吃了一惊 。RRAM可使手机将来使用数周或更久而不需充电；使个人电脑开机后立即启动；笔记型电脑在电池耗尽之后很久仍记忆上次使用的信息 。忆阻器也将挑战掌上电子装置内普遍使用的闪存，因为它具有关闭电源后仍记忆数据的能力 。RRAM将比今日的闪存更快记忆信息，消耗更少电力，占用更少空间 。忆阻器跟人脑运作方式颇为类似，惠普说或许有天，电脑系统能利用忆阻器，像人类那样将某种模式（patterns）记忆与关联 。RRAM为制造非易失性存储设备、即开型PC、更高能效的计算机和类似人类大脑方式处理与联系信息的模拟式计算机等铺平了道路，未来甚至可能会通过大大提高晶体管所能达到的功能密度，对电子科学的发展历程产生重大影响 。研究人员表示，忆阻器器件的最有趣特征是它可以记忆流经它的电荷数量 。蔡教授原先的想法是：忆阻器的电阻取决于多少电荷经过了这个器件 。也就是说，让电荷以一个方向流过，电阻会增加；如果让电荷以反向流动，电阻就会减小 。简单地说，这种器件在任一时刻的电阻是时间的函数———或多少电荷向前或向后经过了它 。这一简单想法的被证实，将对计算及计算机科学产生深远的影响 。比勒菲尔德大学托马斯博士及其同事在2012年就制作出了一种具有学习能力的忆阻器 。2013年，安迪·托马斯利用这种忆阻器作为人工大脑的关键部件，他的研究结果将发表在《物理学学报D辑：应用物理学》杂志上 。安迪·托马斯解释说 ， 因为忆阻器与突触的这种相似性，使其成为制造人工大脑——从而打造出新一代的电脑——的绝佳材料，“它使我们得以建造极为节能、耐用 ， 同时能够自学的处理器 。”托马斯的文章总结了自己的实验结果，并借鉴其他生物学和物理学研究的成果，首次阐述了这种仿神经系统的电脑如何将自然现象转化为技术系统，及其中应该遵循的几个原则 。这些原则包括 ， 忆阻器应像突触一样，“注意”到之前的电子脉冲；而且只有当刺激脉冲超过一定的量时，神经元才会做出反应，忆阻器也是如此 。忆阻器能够持续增高或减弱电阻 。托马斯解释道：“这也是人工大脑进行学习和遗忘的过程中 ， 忆阻器如何发挥作用的基础 。”

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