场效应管原理图讲解场效应管的原理 _经验知识

场效应管的原理。本发明公开了一种基于分布式计算环境的网络安全防护系统，包括。该系统。其特征在于。它包括。本发明的目的是提供一种基于分布式式计算环境下的网络安全防护系统，其主要解决现有技术中存在的网络安全防护效果不理想的问题。本发明采用分布式计算环境，通过对各个节点的权行控制，实现对整个网络的全方位、多层次的安全防护。
一：场效应管的原理与作用【场效应管原理图讲解场效应管的原理】场效应晶体管简称场效应管，缩写FET，是一种半导体的放大器件，也可以充当开关作用。
场效应管的符号如下图，分别为N沟道和P沟道的。

文章插图
MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS 。
在先说场效应管的工作原理之前先辨认场效应管的符号的三个脚的关键在哪，如下图
首先，场效应管的栅极（即G极）是和其他两脚成90°的角度，箭头指向栅极（G极）的是N沟道的MOS管，箭头背对着栅极（G极）的是P沟道的MOS管。接着看寄生二极管的方向，N沟道MOS管是源极（S极）指向漏极（D极）。P沟道MOS管是漏极（D极）指向源极（S极）。
也可以按下图的分源极（S极）与漏极（D极）。
场效应管的工作原理，其实与三极管的工作方式差不多。三极管是一个电流控制器件，所谓的电流控制器件是指基极电流大小来控制集电极和发射极的电流。而场效应管是一个电压型控制器件，就是通过改变栅极与源极的电压，可以改变流过沟道的电流，换言之，栅极电压的大小可以控制流过漏极的电流的大小。
场效应管在电路中可以起到做开关、放大作用。

开关作用如下图所示以及分析

当输入端Vi为低电平时，Q1栅极与源极没有压差，Q1处于截止，Q1不工作,此时VCC的电压加到R1和R5，使Q2的栅极与源极的产生压差，Q2处于导通状态，此时R4充当负载，VCC的电压都到R4上。即如下图
当输入端Vi为高电平时，Q1栅极与源极有压差，Q1处于导通状态，Q1工作，VCC的电压加到R1上，R1充当负载到地，Q2的栅极与源极没有压差，Q2处于截止，如下图

场效应管的三种基本放大电路

共源放大电路，相当于晶体三极管的共发射放大电路，输入信号从源极与栅极之间输入，输出信号从源极与漏极之间输出。
共漏放大器，相当于晶体三极管的共集电极放大器，输入信号从漏极与栅极之间输入，输出信号从漏极与源极之间输出。
共栅放大器，相当于晶体三极管的共基极放大电路，输入信号从栅极与源极之间输入，输出信号从源极与漏极之间输出。
二：场效应管的原理图场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID” 。
1、场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。