锐客网

  1. 首页 > 睿知 > >

ibm电脑包是牛皮的吗? ibm电脑包真皮收藏(12)

经验知识睿知


双层存储单元MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---1万次擦写寿命 。
三层存储单元TLC =Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1千次擦写寿命 。
QLC四比特单元（4bits/cell，即每个Cell单元储存4个数据），成本更低，容量更大，但寿命更短，将成为接替TLC的产品
注：每Cell单元存储数据越多，单位面积容量就越高，但同时导致不同电压状态越多，越难控制，所以导致颗粒稳定性越差，寿命低 。
简单来说就是控制一个这样的MOSFET以不同的状态来储存信息 。这点在过去也有迹可循 。继电器逻辑电路搭建计算机和储存器在过去没有晶体管的时候就发明了 。
继电器门电路
上面的电路是基本的继电器电路，如果将控制电路的输入看成A端，工作电路的输出看成F端，可形成一种简单的输入和输出，而且F和A之间符合下面的关系 。
F=A
与门
下面使用这种继电器实现三输入与门电路，其中带有J的符号表示继电器 。和普通的串联开关一样，只有当三个输入端A、B、C同时加电的时候，F端才可能存在输出 。无论有多少个输入，与门的性质是不会改变的 。尽管这里有三个输入A、B、C，但是，和其他所有的与门一样，除非它们同时加电，否则F将不会产生输出 。
或门
很显然，除非A、B都没有输入，F才没有输出 。在其他任何情况下，只要A、B有一个存在输入，或者都有输入，F就一定会有输出 。
这种性质的并联开关称为“或门”，和与门一样，一个或门有两个输入端只是很常见，但并不是一直限制 。如果需要，一个或门可以有3个、4个、5个甚至更多的输入端 。
非门
上面继电器电路图作为其中的一种形式 。如果将图中的线圈和弹簧换个位置，可以方便的实现另一种截然相反的功能 。
我们将这种输入和输出相反的电路叫做非门 。下面是非门的电路和符号表示 。
至于MOSFET也可以像继电器一样以开关的两种状态工作，MOSFET作为场效应管其实和三极管之类的开关管非常相似大同小异，都是用弱电控制强电，在逻辑上和继电器是相似的 。二进制信息可以用01表示，这样只要有开关就能实现信息的储存 。
SLC、MLC、TLC三种闪存的MOSFET是完全一样的，区别在于如何对单元进行编程 。SLC要么编程，要么不编程，状态只能是0、1 。MLC每个单元存储俩比特，状态就有四种00、01、10、11，电压状态对应也有四种 。TLC每个单元三个比特，状态就有八种了(000、001、010、100、011、101、110、111) 。
简单地说SLC的性能最优，价格超高 。一般用作企业级或高端发烧友 。MLC性能够用，价格适中为消费级SSD应用主流，TLC次之，QLC综合性能最低，价格最便宜 。但可以通过高性能主控、主控算法、大容量来弥补性能短板 。
简单理解就是只要能买到就尽可能买SLC，SLC不行就MLC，MLC要是还不行就TLC 。至于一款固态盘什么主控颗粒是SLC MLC还是TLC都能查到，具体就不用我多说了吧 。
3D NAND
3D NAND是一种新兴的闪存类型,通过把存储单元堆叠在一起来解决2D或平面NAND闪存带来的限制 。从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦,所谓3D闪存就是2D闪存的堆叠 。利用新的技术（即3D NAND技术）使得颗粒能够进行立体式的堆叠，从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步扩大单die可用容量的限制，在同样体积大小的情况下，极大的提升了闪存颗粒单die的容量体积，进一步推动了存储颗粒总体容量的飙升 。
同时，在业界，根据在垂直方向堆叠的颗粒层数不同，和选用的颗粒种类不同，3D NAND颗粒又可以分为32层、48层甚至64层 3D TLC/MLC颗粒的不同产品，这取决于各大原厂厂商的技术储备和实际选用的颗粒种类 。

推荐阅读


上一篇：Windows有什么值得推荐的绘图软件？

下一篇：艾灸盒艾灸有效果吗