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反激mos管波形分析,mos管防反接电路分析

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1、高分悬赏!谁能用最通俗的语言给我讲清楚MOS管的主要功用,及工作原理...对于CPU供电电路来说，从低负载到满负载电流变化很大，是因为当前的CPU耗电量很大 。为了保证CPU在快速负载变化中不会因为电流供应不足而停机 ， CPU供电电路要求有非常快的大电流响应能力 。电源电路中的MOSFET、电感、电容都会影响这种能力 。理想状态下，厂商使用最快的MOSFET，高磁通的粗导线电感线圈，超低ESR的输入输出电容 。

不同的主板厂商在选材上有不同的侧重 。一个厂商可能会选择一个快MOSFET ， 快MOSFET的开关噪声比较小，这样输入输出的电容水平可以降低一点 。英特尔的主板采用了高磁导率的电感磁芯(降低了线圈的损耗电流)，所以用厚一点的线圈就够了 。但是大部分厂家会采用更便宜的磁芯 ， 采用三线并联绕制的方式来解决，这样即使损耗很大 ， 线圈也不会散发太多的热量 。

2、 反激电源中串联两个MOS管的方式提高耐压,下管正常PWM驱动,上管的栅极通...1 。当工作电压较高时，图中的电路更常见 。以下晶体管正常驱动 。上述晶体管可以理解为栅极加浮动高电压的源极驱动模式 。这种源驱动模式偶尔也会出现在一些低压应用中 。我记得飞兆最近发布的几款芯片都有类似的应用 。这个电路没有均压功能 ， 但是由于mosfet不会有二次击穿，所以不会影响可靠性 。上管的浮地驱动高压必须低于下管的VDS耐受电压，否则下管的电应力就会超标 。

两个mosfet应尽量选用特性相同的 ， 单个耐压大于总VDS的一半，浮地高压略低于VDS的一半 。该电路的优点是驱动电路简单，占空比可以从0到100% 。2.隔离变压器驱动的电路我见过6个mosfet串联 。好处当然是可以在更高的电压下工作 。缺点是驱动变压器的设计和绕线会有点麻烦 。占空比不能是0或100% 。

3、为什么MOS管VDS和输入脉冲VGS 波形是相反的?两者的区别并没有那么绝对 。许多mos管可以工作在线性状态和通断状态 。只有开关mos tube针对开关的工作模式进行了优化 ， 主要是支持更高的开关频率 。就N沟道场效应晶体管而言，当S极是输入输出的公共端时，场效应晶体管的D极和S极不导通，当电源电压通过负载加到D极时，场效应晶体管的D极和S极导通，电源电压加到负载上，所以大部分电源电压加到负载上:MOS晶体管VDS和输入脉冲VGS 。

4、求助:180W单管正激电路 波形 分析我只想简单说一下，一般来说，单端反激型用的多，单端正向型用的少 。在单端正激开关电源中，通常采用绕组复位 ， 同时也加入了CD进行峰值吸收 。至于为什么需要绕组复位，单端开关电源绕组中的电流是脉冲式的，单向的，不是双向的 。单端反激开关电源可以抵消原边产生的磁通和副边产生的磁通方向相反 。但是 ， 当原边截止，副边导通时，原边会产生反射电压 。为了防止反射电压叠加导致开关管(MOS管)损坏 ， 增加了箝位二极管 。

退磁复位必须在原边增加一个退磁绕组和二极管，因为单端正激开关电源的高频变压器磁通工作在磁滞回线一侧时必须遵循磁通复位原理 。如果不加退磁绕组，变压器储存的能量会使开关管(MOS管)承受很高的电压幅值 ， 高频变压器漏电感引起的关断电压峰值也会叠加在开关管上，在瞬态过程中容易击穿功率开关管 。

5、 mos管示波器捕捉多个 波形为了解决示波器测试操作流程繁琐、参数配置复杂等问题，纳米软件开发的NSScope示波器自动测试程控软件，通过对示波器的程序控制，实现参数自动配置、数据采集和数据存储 。软件自带数据库存储，方便用户查询历史测试数据，最大限度提高仪器使用效率 。2.主要功能◆单/多示波器遥控，参数采集 ， 波形全自动化 。
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