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下面让华为麒麟陪你一图看懂存储器！
RAM：随机存取存储器（andomAccessMemory)，即手机里的运行内存，是处理芯片内与CPU立即互换数据的存储器 。
RAM归属于易失性存储器，即一旦关闭电源所存储的数据把全部丟失 。RAM的优点是随时都可以读写能力，与此同时读写速度迅速，一般用于储存后台运行的流程和临时性数据 。
NAND：NANDFlash即手机里的闪存芯片，它属于非易失性存储器，停电后，其存储的数据不容易遗失 。NANDFlash存储器具备容积比较大、容积比较小、改变速度更快等特点，这是挪动电子产品存放的最佳物质，在行业内有广泛应用，包含手机上、照相机、随身携带U盘等 。手机参数里的256G512GB指的是手机里的闪存芯片尺寸 。
DRAM：动态性随机存取存储器（DynamicRandomAccessMem-ory）是RAM中的一种，当断开开关电源后，所存储的数据把全部丟失 。因为晶体三极管会有走电的现象，造成DRAM贮存正电荷的时间也十分短暂性，因此DRAM必须周期性地电池充电去进行更新，因而DRAM速度比不上SRAM快，但DRAM的优点是存储器的构造简易，处理速度高，功能损耗低，因此已经成为大空间RAM里的流行 。例如手机参数里的4G8GB指的是运行内存 。
【华为手机闪存是什么意思啊】SRAM：静态数据随机存取存储器（StaticRandom-AccessMemo-ry）是RAM的另一种 。SRAM与DRAM不一样，不用规律性进行更新，只要保证插电，里边存放的数据就能恒常维持 。可是，当停电时，SRAM存放的数据依然会消退 。SRAM的优点是读写速度快、应用简易、不用规律性更新、静态功耗非常低，可是SRAM所需要的元器件数大、处理速度低、运作功能损耗大，与此同时原材料成本高 。
3DDRAM：伴随着芯片尺寸的不断微型，DRAM工艺技术微型变得更加艰难，平面图DRAM的“颠覆性创新”(Moore＇sLaw）已经逐渐走向极限值，现如今各大厂商都是在科学研究3DDRAM做为解决方法来持续DRAM的应用 。3DDRAM是一种将存储器层叠至逻辑单元上方新式存储方式，它能够实现利用系数上更高容积 。
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