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晶体管单级放大电路的测试与分析

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晶体管共发射极单管放大器件中测得的电压放大多 。阐述了晶体管-4电路与FET-4电路在分析上的异同...1，双极，为什么要对晶体管放大电路为什么要对晶体管电路进行静态分析？以下是介绍 。

1、什么是 单级共射 放大 电路实验理论值 1 。实验目的 。掌握单级共注-4电路静态工作点的测量和调整方法 。2.了解电路参数变化对静态工作点的影响 。3.掌握单级共注-4电路动态指标(Av、Ri、Ro)的测量方法 。4.学习通带的测量方法 。2.实验原理和参考文献电路1，参考文献电路实验参考文献电路如下 。电路采用自动稳定静态工作点的分压发射极偏置电路，电位器Rp用于调整静态工作点 。

直接测量ICQ时，断开集电极回路比较麻烦，所以常采用电压测量来换算电流，即先测VE(发射极对地电压)，再用公式ICQ≈IEQVE/RE计算ICQ 。测量静态工作点的方法是在没有输入信号的情况下，将放大 device的输入端(耦合电容C1左端)接地 。使用电压表测量晶体管的B、E、C极对地电压VBQ、VEQ和VCQ 。如果出现VCEQ≈VCC，说明晶体管处于关闭状态；如果出现VCEQ<0.5V ， 说明晶体管已经饱和 。

2、 晶体管共射极单管 放大器中实测的电压 放大倍数 。输入电阻 。输出电阻与理...1:由于温度在一定程度上的影响，实测值与理论值存在一定的偏差 。2:我们在仿真时输入小信号 ， 所以示波器上显示不稳定，读取值有差距 。不知道这位先生是怎么测出电压放大倍数 ， 输入电阻和输出电阻的 。电压放大倍数其实是用示波器测出来的，如果用万用表是不准确的 。用示波器测得的电压的倍数放大会非常接近理论值 。

3、为什么要对 晶体管 放大 电路进行静态分析为什么晶体管放大 电路的静态分析介绍如下:放大电路静态分析和动态分析的目的是:1 。这样可以判断放大设备是否在放大区域内，也可以为动态分析提供必要的数据 。2.动态分析是计算电路的电流，电压的放大的倍数，输入输出阻抗等数据，这是衡量a 放大 电路好坏的最根本数据 。

简介:设置静态工作点的目的是保证当放大的交流信号加到电路上时，发射极结正向偏置、集电极结反向偏置的三极管放大状态在正负半周都能满足 。如果静态工作点设置不当，使用交流信号放大时可能会出现饱和失真(高静态工作点)或截止失真(低静态工作点) 。所谓静态工作点，是指放大 电路静止时的工作状态 。

4、阐述 晶体管 放大 电路和场效应管 放大 电路在分析时的相同与不同之处...1，双极型晶体管及与场效应晶体管的比较，第一章双极型晶体管与场效应晶体管的区别 ， 1.1结构，1.3 1.2电极和1.4输入电阻的载流子，1.5其他方面，1.1结构，双极型 。P沟道绝缘栅增强:N沟道、P沟道绝缘栅耗尽层:N沟道、P沟道、使用1.2电极、双极晶体管:分为基极(b)、集电极(c)、发射极(e) 。

其中D和S一般可以互换使用，1.3载波和输入，双极性晶体管:载波有多载波和少载波 。输入数量是当前数量 。场效应管:载流子是一种(空穴或自由电子)2 。输入量是电压 。1.4输入电阻，双极晶体管:低(几十欧姆到几千欧姆)FET:高(几兆欧姆以上)，iG0，1.5其他方面，双极晶体管电流控制电流源CCCS()噪声系数大，热稳定性差 ， 不易受影响 。
5、 晶体管 放大 电路的图解法【晶体管单级放大电路的测试与分析】楼主的问题意思是:假设晶体管T在放大中工作，IBQ是近似分析得到的，但T输出特性曲线、输出回路负载线和IBQ的交点可能正好在饱和区 ， 不一致 。如果楼主指的是我描述的那种，那么第一，图解法是最精确的解法，精确度取决于你的晶体管输入输出特性曲线测试 ， 图解法的整个过程应该是:在输入回路负载线和T输入特性曲线的交点找到IBQ，然后从输出特性曲线、输出回路负载线和IBQ读出晶体管的工作状态，UCE和ICQ的精度较高，但是测试输入输出特性曲线的过程比较麻烦 。

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