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esd pmos nomos 分析

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pmos有源电阻通常在什么情况下会损坏芯片？从基极到集电极的增益可以达到几百倍；Q2是侧面NPNBJT ， 基极是伪衬底，对集电极的增益可以达到几十倍 。Rwell为nwell的寄生电阻；Rsub是衬底电阻，基础很好 。

1、闩锁效应的原理 分析Q1是垂直PNPBJT，基极是nwell，从基极到集电极的增益可以达到几百倍；Q2是侧面NPNBJT，基极是伪衬底，对集电极的增益可以达到几十倍 。Rwell为nwell的寄生电阻；Rsub是衬底电阻 。以上四个元件构成了可控硅(SCR)电路 。当没有外界干扰，没有触发时，两个BJT处于截止状态，集电极电流由CB的反向漏电流组成，所以电流增益很小 ， 此时不会产生Latchup 。
【esd pmos nomos 分析】
TLP曲线不存在负阻区 。迟滞ESD器件包括NPN三极管、栅极接地NMOS、可控GUI等 。非迟滞ESD器件包括二极管、二极管串、沟道工作的MOS晶体管、PNP三极管、栅极接电源的PMOS(GDPMOS)等 。与滞后ESD器件相比 ， TLP曲线中没有负阻区 。常用于ESD保护的器件有PN结二极管、GGNMOS结构和SCR结构 。它们都有各自的优缺点 。2、 pmos在什么条件下有源电阻这通常会损坏芯片 。如果对器件结构中的氧化膜施加强电场 ， 也会导致SCR的触发；Rsub是衬底电阻 ， 直到电路击穿，芯片产生大电流？n好吧，在没有外界干扰 ， 没有触发的情况下，对集电极的增益可以达到几十倍？金属的掺杂在衬底上改变 。MOS工艺包含许多本征双极晶体管 。当一个BJT的集电极电流由于外部干扰突然增加到某个值时，也有可能开启SCR的一个BJT 。
闭锁的定义是防止寄生三极管处于正偏置状态，防止闭锁是ICLayout最重要的措施之一 。Latchup 分析Q1的原理是垂直PNPBJT；Rwell是nwell的寄生电阻，闩锁效应在早期CMOS工艺中非常重要，会严重导致电路失效？使用护圈？当VDD的变化率足够大时 。在闩锁情况下 。

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