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mos电路分析,MOs管开关电路

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帮我分析降本mos管电路帮我分析降本mos管电路栅压 。此驱动mos tube 电路图请分析判断数字电路0和1 分析应该是正确的 ， MOS互补电路 is CMOS(互补型MOS)，请解释一下这个电路( 电路)中MOS管的作用，是相对于单个开关管电路 。
【mos电路分析,MOs管开关电路】
1、求讲解此 电路( 电路中MOS管的作用,以及电压输入输出的关系Q28是调节管，Q29应该用于过流保护或稳压，但只有这部分电路有故障，不能正常工作 。■这是一个稳压电源电路由场效应晶体管组成 。左端为输入端，加上没有稳压的高压 。Q28输出后，由R147和R148组成的分压器分成1/2的电压，提供给场效应晶体管Q29 。如果输出电压变高，Q29会更导通，所以Q28和R146组成的分压器会降低Q28的栅极电位，增加Q28的内阻，所以输出端的电压会被拉回 。

2、什么是MOS互补 电路?该 电路相对于单开关管 电路有什么优点?complementary MOS电路，它是CMOS(ComplementaryMos)，特点是在P衬底上嵌入一个N阱，使NMOS和PMOS集成在一起，减小面积 。与单开关管电路相比，CMOS 电路的噪声容限更大，逻辑摆幅更大，抗干扰能力更强，静态功耗更低 。

3、帮我 分析下这个 mos管 电路,当DO 电路中的三极管都处于饱和关断状态，即开关状态 。当DO_CAMERA为高 ， 即3.3V时，Q192导通，Q193的集电极为高 ， Q100的源极(底部)为低 。反之，当DO_CAMERA为低电平，即0V时，Q192截止，Q193的集电极为低电平，Q100的源极(下端)为高电平 。Q193和Q100输出的高电平为12V；低电平为0V，即GND 。当DO_CAMERA为高时 ， Q100栅极电压，即Q193集电极电压等于12V ， Q101栅极电压为低时等于0v；

4、笔记本维修 电路中三极管,MOS管 分析求 分析这个电路中高低是相对的 。如果只说5.4v，基极输入低，就不能断言晶体管导通，但5.4v一般都在低电平的范围之外，所以5.4v不管是TTL还是CMOS，都应该属于高电平的范围 。如果这里说的是低电平，那么输入电压一定在低电平的范围内，数字电路中的高低电平范围是严格划分的 。既然说5.4v是高电平，那就存在于高电平的范围内，基极是低电平，所以晶体管的发射极肯定是正偏的 。

对于你的数字逻辑芯片来说 ， 5.4v确实是一个高电平，但你上图看到的是analog 电路，你不谈逻辑电平 。如果在MOS的源极输入一个6.4v，5.4v叫什么都无所谓 。5.4v还是很高的水平，但是你的MOS开不了 。在这里，我建议你找一些基于数字的书电路来阅读逻辑水平的介绍 。管脚3没有电压，输出当然是低电平 。

5、 mos管在 电路中的作用三极管和MOS晶体管在功能上有很多相似之处，但这两个元件有什么区别呢？用a 电路告诉你 。MOS ， MOSFET的全称是金属氧化物薄膜绝缘栅场效应管，有栅极、源极和漏极 。通过向栅极施加电压以产生电场来控制S/D之间的沟道电子或空穴密度(或沟道宽度),可以改变S/D之间的阻抗..这是一个简单易用的压控功率晶体管 。它具有开关速度快、高频性能好、输入阻抗高、驱动功率小、热稳定性好、无二次击穿问题、工作区域宽、工作线性度高等特点 。它最重要的优点是可以减小体积和重量，为设计者提供一种高速、大功率、高电压和高增益的器件 。

6、这个驱动 mos管的 电路图,我这样 分析对吗?请 分析判断下数字电路0和1 分析应该正确 。逻辑是对的，但还是有一些问题:1 。Q1关了，如果后面没有Q2 ， R2和R3平分电压；但是Q2的基极电压受到BE结正向压降的限制，不是1.65V，而是0.7V左右 。三极管饱和时 ， 集电极仍有0.2V左右的压降，所以是0v左右；当然，三极管关断时 ， ce之间会有轻微的漏电流，等效电阻也不是无穷大，但一般分析把CE视为完全关断 。
7、帮我 分析下这个 mos管 电路门极电压是多少? From 电路，大概是11V 。约1.2v q 94 mos的导通电压为12V，当Q92电子管打开时，Q94关闭 。当Q92关闭时，施加于Q94的G电压是R097和R098的分压，切割R097的电阻很小 ， 可以忽略不计，所以MOS的栅极电压在12V左右 。

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