国产光量子芯片获突破，美光绕过EUV光刻机！ASML形势越来越严峻
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我国半导体产业发展初期 ， 当科研人员远赴西方拜访ASML并表达完自己的见解后 ， 却迎来了“给你们全部图纸也造不出光刻机”的嘲讽 。 但近两年ASML对大陆市场却高度热情 ， 即便受到老美相关限制条令 ， 也公然表态“不影响出口规则”“将中国排除在外会影响整个半导体行业的发展”等 。
为什么近两年ASML对国内半导体企业的态度反差如此之大？作为一家企业势必与利益有很大的关系 ， 因为下个芯片时代即将来临！国内、外传过来的三条消息 ， 突然让大家醍醐灌顶！
国产光子芯片生产线将落地
自芯片被“断粮”之后 ， 芯片引起了国内企业及科研机构的高度关注 。 而在国家的大力扶持之下 ， 不仅国内科研机构宣布集中部分力量攻克光刻机 ， 同时还在封装、下一代半导体领域提前展开了布局 。
【国产光量子芯片获突破，美光绕过EUV光刻机！ASML形势越来越严峻】
此前官媒报道 ， 2023年国内首条光子芯片生产线将于北京建成并投入生产 。 由于光子芯片的高速并行能力远超传统硅基电子芯片 ， 外加上在电阻方面的绝对优势 ， 相同工艺的光子芯片其性能能达到电子芯片的1000倍 ， 而且功耗仅为传统电子芯片的九万分之一 ， 现有的成熟工艺所打造的光子芯片 ， 就能实现甚至远超传统5nm、4nm电子芯片的水平 ， 而光子芯片所采用的材料主要为InP、GaAS等二代化合物 ， 更强的性能表现 ， 廉价的制造成本 ， 这是理想的下一代半导体技术 。
华为量子芯片获突破
11月份 ， 华为一项名为“超导量子芯片”的专利流出 。 简单来说 ， 该专利的主要功能是降低量子比特之间的串扰 ， 加强计算精度 ， 提升计算速度 。 众所周知 ， 量子芯片与传统电子芯片不同 ， 工艺方面将是将量子线路集成在基片上 ， 利用物理学的“叠加”“纠缠” ， 以指数级的形式大幅提升芯片的处理速度 ， 据悉集成量子芯片的计算设备在计算某些重要任务时 ， 计算速度能达到传统计算设备的百万倍 。 而超导量子芯片的制造过程 ， 完全可以绕开ASML的光刻机 ， 现有的成熟工艺就能轻松实现大规模量产 。
美光绕过EUV光刻机
不能忽视的是 ， 除了国内企业之外 ， 一些海外巨头也在攻坚半导体核心技术！据媒体报道 ， 美内存芯片巨头美光宣布 ， 采用1β(1-beta)制造工艺的Dram内存芯片已经在某些手机制造商和芯片平台得到了验证 ， 而且量产工作已全面准备就绪 。
所谓1β制造工艺 ， 这是美光融合专有的多重曝光光刻技术、先进材料、领先工艺来实现 ， 这种技术可以绕过EUV光刻机 ， 通过DUV光刻机即可实现量产 ， 而且性能还提高了15% ， 内存密度提高了35% ， 最高速率可以达到8.5Gb 。
在半导体发展的数十年里 ， 老美筑起了一道坚实的芯片壁垒 ， 中企为绕过EUV光刻机所带来的技术突破 ， 许多国人持以半信半疑的心态 ， 因为EUV光刻机汇聚了物理学、化学、光学、材料学等多领域的尖端技术 ， 制造难度又极其复杂 ， 没有任何一家企业能独立生产出来 。 但美光通过该1β制造工艺绕过EUV光刻机 ， 也印证了中企对光量子芯片领域探索是可行的 。
硅基芯片时代基本结束 ， 下个时代即将来临
当EUV光刻机发展到5nm ， 之后就很难有巨大突破 ， 精度已经逼近物理极限 。 虽说三星、台积电都带来了3nm制程工艺 ， 但这只是通过修改晶体管栅极形态来实现 ， 而对于3nm之后如何能带来性能、能效方面的跃进 ， 大家都没有清晰的答案 。
而对于那些不撞南墙不回头的晶圆厂 ， 想要实现2nm、1nm制程工艺 ， 不仅研发投入会大幅提升 ， 效果还不一定能达到市场的需求 ， 从各大IC企业这两年的挤牙膏操作就能发现 。 所以许多企业都在为延续摩尔定律做准备 ， 而从各大厂家的表现也不难发现 ， 更换新材料才是延续摩尔定律最有效的办法 。
20世纪是硅时代 ， 21世纪是碳、光、量子时代 ， 半导体不能一直停留在过去 ， 而下一代半导体又不会延续传统路线 。 虽然前方的岔路会比较多 ， 但每一条路都会绕过ASML的EUV光刻机 ， 这对于ASML而言 ， 形势无疑是越来越严重了！
ASML虽然背后有西方技术与资本的支持 ， 但想要长期领跑 ， 就必须比别人跑得更快、看得更远 ， 但现实却截然相反！种种芯片规则 ， 不但限制了ASML的市场与成长空间 ， 更让中企发现了危机感并开始自寻出路 ， 这也应了任正非那句话“断供中企 ， 会让美芯片企业自断后路！”
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