投稿|DDR5风口下的“最大受益者”,就藏在科创板之中

投稿|DDR5风口下的“最大受益者”,就藏在科创板之中
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图片来源@视觉中国

文 | 芯锂话
20世纪60年代 , 计算机正处于发展早期 , 对于当时的科学技术来说 , 存储是一件极为奢侈的事情 。IBM瞥见了其中的商机 , 并准备就此掀起一场计算机“存储革命” 。
“磁芯存储器”是当时全球的主流存储技术 , 这项技术由美籍华人王安博士发明 , 后被IBM以50万美元的价格收入囊中 。“磁芯存储器”虽然解决了计算的存储问题 , 但却有极大的改进空间 , 全球最大的存储设备也只能存储一兆字节的信息 。
IBM购买“磁芯存储器”的专利的目的很简单 , 就是希望将这种技术成功商业化 , 但庞大的设备空间与狭小的存储空间形成强烈矛盾 , 只有攻破存储器尺寸和空间的问题 , 这项技术才能真正的被全面推广 。
1966年秋 , IBM负责“磁芯存储器”优化的项目组已经取得突破性进展 , 他们即将实现设备25平方厘米的尺寸突破 , 然而半导体存储技术的出现却让一切戛然而止 。
当时 , 半导体技术正由青涩走向成熟 , 仙童半导体公司已经在6年前完成了世界第一代晶体管集成电路的批量生产 。得益于半导体技术的发展 , IBM的34岁电气工程师Robert H. Dennard发明出了一种“革命性”的半导体存储技术“动态随机存取存储器”(简称DRAM) 。
早在DRAM被发明之前 , IBM的硅芯片设计师们就已经实现晶体管储存数据的做法 , 只不过当时存储一个比特数据需要用到6个晶体管 , 并没有比“磁芯存储器”强多少 。
Dennard突发奇想的用1个晶体管是否存储电荷来代表“0”或“1” , 通过若干晶体管矩阵来存储数据 。由于晶体管在关闭电源后会出现漏电现象 , 从而导致存储数据的损毁 , 因此这种存储技术是易失的 , 需要周期性的充电使用 。
DRAM有效地减少了电路板的体积 , 实现了当初IBM的设想 , 但由于IBM当时正被反垄断调查 , 因此并未抓住DRAM的商机 。
【投稿|DDR5风口下的“最大受益者”,就藏在科创板之中】尽管如此 , DRAM最终依然取代“磁芯存储器”成为主流的存储技术并被沿用至今 , 这项技术也就是如今我们常说的内存 。
时间飞逝 , 五十五年过去了 , 技术的进步让设备尺寸不再是衡量指标 , 更快的带宽和更低的电压成为内存企业们的追求 。
聚焦当下 , 中国半导体产业遭到了欧美国家的全面针对 , 而在DRAM行业即将迎来的DDR5全新风口中 , 我们却看到了一家中国科创板企业的身影 。
10月28日 , 国际芯片巨头英特尔宣布 , 第12代PC版CPU首度支持DDR 5内存和PCIe 5.0 , 正式掀开了DDR5的风口 。而就在一天之后 , 澜起科技宣布其DDR5第一子代内存接口及模组配套芯片已成功实现量产 , 并宣称将努力在DDR5世代保持市场领先地位 。
或许很多投资者认为澜起科技是在吹牛 , 但实际上它确实已经坐到了全球细分龙头的位置上 。在强手如云的芯片领域 , 澜起科技究竟是如何成功的呢?

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