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TTL反相器电路图分析

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如图所示，TTL 反相器是典型的电路 。TTL 反相器的问题，是用电路中的TTL倒相器原理解决的，这个所谓的TTL 反相器如果T1的发射极和集电极不匹配 ， 根本无法正常工作，请教各位网友关于你的TTL 反相器电子技术制图 ， 这可能是错误的(T2的类型应该是PNP管) 。根据该图，T2没有基极电流源，并且总是处于关断状态 。
【TTL反相器电路图分析】
1、数字 电路中的 TTL反向器的原理求解 。麻烦详细点,谢谢! TTL芯片采用NPN晶体管 ， 所以采用正电源供电 。只要满足IB * β > IC ， 晶体管就会饱和 。也就是说 ， 基极电流乘以放大系数大于集电极电流 。至于Ib和Ic的值，可以根据实际的电路参数来计算 。但不需要计算TTL的原理，对分析各点的潜在值会有定性的了解 。如图，当输入端悬空或输入高电平时 ， VT1关断，Vcc通过R1、VT1集电极节点、VT2和VT4发射极节点形成VT2和VT4的基极电流，VT2和VT4饱和导通 。

2、如图为 TTL 反相器的典型 电路 。为何课本在解释 电路结构时说,当输入高电平...T1的发射极和集电极是倒过来画的，换个方式很好理解，不用解释 。当T1的发射极和集电极反相时，会出现“当输入3.4V的高电平时 ， T2导通，使vc2减小，ve2增大”的现象 。这个所谓的TTL 反相器如果T1的发射极和集电极不匹配，根本无法正常工作 。我在这里恰好看到T2的导通使得ce导通 ， 电流从T2的基极流向发射极，形成一个回路 ， 所以vc2本来等于r2上的端电压，也就是vcc，但是通过之后，下面的电压被分压，使得vc2的电压更低，ve2的电压可以使T5导通 ， 但是为什么T4关断了呢？

3、请教网友关于电子技术中的 TTL 反相器的你的图纸电路很可能是错的(T2的型号应该是PNP管) 。根据你的图纸电路，T2没有基极电流源，一直关断 ， T5也会因为T2的截止而关断 。只有T4开启并始终饱和，Vo应该在4V以上 。当T2饱和时，集电极(C)和发射极(E)都在高电位导通，所以T4和T5也饱和 。T4集电极与一个电阻串联作为假负载，其集电极和发射极与接地端相连 。输出端0.3V，正好是晶体管的内阻压降(低电平摆幅) 。

4、(有图这是TTL 电路的特点 。所有输入端悬空时都是高电平，只有接地时(74LS系列需要0.3mA以上的电流，74系列需要1.5mA以上)，才是低电平 。所以你能理解 。还要注意TTLserial gate电路是负逻辑，与4000(14500 ， 4500)系列正好相反 。多关注混搭设计 。

5、关于 TTL 反相器的问题,懂数电的进虽然看不到图，但还是可以试着回答一下 。在晶体管放大电路中，晶体管是否饱和与晶体管的集电极电流和负载电阻有关 。举个例子，如果共发射极基本为电路，RC为1m欧姆 ， 在5V电源下，只要IC达到5uA ， 晶体管就已经达到饱和状态 。对于数字IC，如你所说，VT2的反向BC结电阻很大，比如100M，所以IC只要达到0.05uA就会深度饱和 。
6、 TTL 反相器基本 电路的疑问我来简单回答一下 。当U1的输入为0.2V时 ， T1的基极电压为0.9V，此时T1为NPN型晶体管，集电极电压为0.90.7=0.2V然而 ， 导通T2和T4需要0.7 0.7 0.7=1.4V，加在T2的基极电位只有0.2V，所以T2和T4都关断，当U1的输入为3.6V时 ， T1的基极电压应为3.6 0.7 = 4.3V，但同时由于T1集电极的电位路径为50.7=4.3V，已经大于1.4V的导通电压，T2和T4管导通，T1管的基极电位被限制在1.4 0.7 = 2.1V，这样T1的发射极反向关断，T2饱和时的饱和电压为0.3V 。其集电极电位为0.7 0.3 = 1.0V，T3导通电压为T3发射极结电压和D导通电压之和，即0.7 0.7 0.7=1.4V ， 因此1.0V的T3基极电位不足以导通T3，U0输出为T4饱和电压，低电平 。

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